绝缘栅P-HEMT,PHEMT,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) PHEMT

绝缘栅P-HEMT

The paper describes the constructions, characters, state of the art, applications and supporting placement of ultra-high-speed compound semiconductor devices such as HBT, HEMT, PHEMT, and briefly provides future trend.

本文介绍了超高速化合物器件HBT、HEMT、绝缘栅P-HEMT的结构、特点以及上述器件的当前国际水平和它们在21世纪通信系统中的应用与支撑地位,并对未来的发展趋势做一简单介绍。

2) insulation

绝缘

Study of insulation adhesive based on epoxy resins modified with PEPDMS;

环氧基苯基硅油改性环氧树脂绝缘胶的研究

Influence of insulation on diamond synthesis and its effective monitoring method;

绝缘程度对人造金刚石合成的影响及其有效监测办法

Study on Sialon Insulation Materials for Channel in Coal—Fired MHD Generator;

用于燃煤磁流体发电通道的Sialon绝缘材料的研究

3) Isolation

绝缘

Study on the isolation technology of metal shell plasma electrode pockels cell;

阳极化膜用于等离子体电光开关放电腔绝缘模拟研究

The theories of isolation inspecting in power supply systems are expounded.

介绍了采用不平衡电桥实施直流电源系统在线绝缘监测的原理 ,给出了直流电源系统故障接地电阻阻值及部位比例的理论计算公式。

The isolation for a giant super-high-voltage transformer is a paramountly important problem in the power system.

大型超高压变压器的绝缘问题是电力系统中的重大课题。

4) insulate

绝缘

Study and Application of the Main Transformer On-line Insulates Monitor in the Second Electric Power Plant of Hancheng;

韩城二电主变压器绝缘在线监测研究与应用

The On-line Insulates Monitor and Studies Application on the Main Transformer of the 220kV Transformer Substation;

220kV变电站主变压器绝缘在线监测研究及应用

Thesis aiming at the condition that large-acreage contamination flashover happened in electric network many times in our country under bad weather, the cause of large-acreage contamination flashover is analyzed from such ways as the insulated level of the power transformation device, air pollution and meteorologic.

本文针对我国电网在恶劣气候侵袭下,多次发生大面积污闪事故的情况,从输变电设备外绝缘水平、大气污染和气象因素等方面,分析了电网发生大面积污闪的原因,提出了现阶段输变电设备外绝缘配置原则和防污措施。

5) insulating

绝缘

Study and application of a composite insulating cover;

复合材料绝缘机罩的研制与应用

Contamiation flashover resistant coating was prepared with linear polysiloxane as matrix coating,high grade insulating compound as filler,PTFE as water repellents and compound N 9 as curing agent.

以线型聚硅氧烷为漆基 ,高绝缘材料为填料 ,聚四氟乙烯为助剂及复合型N - 9固化剂配制成防污闪涂料 ,该涂料的防污闪性能优良 ,实际带电运行表明 :在 0 4mg/cm2 盐密、 2 0mg/cm2 灰密下 ,污闪电压达到 36 9k

The polypyrrole (PPy) films with high conductivity and good activity are got by using two steps polymerization methods on the insulating substrate, that is chemical polymerization firstly, and electrochemical polymerization secondly by using the first films as electrode.

在绝缘性陶瓷基底上,运用先化学聚合、再以所得的聚吡咯(PPy)膜为电极进行电化学聚合的两步聚合法生成了电导率较高、活性高的PPy膜。

6) insulating shell

绝缘外壳

参考词条

绝缘子电绝缘绝缘电阻 B级绝缘绝缘保护母线绝缘绝缘板外绝缘绝缘层绝缘性能绝缘屏蔽绝缘涂膜单端双鞭毛

补充资料：绝缘栅双极型晶体管

绝缘栅双极型晶体管
insulated gate bipolar transistor,IGBT

　　IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表
　　

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1) PHEMT 绝缘栅P-HEMT 1. The paper describes the constructions, characters, state of the art, applications and supporting placement of ultra-high-speed compound semiconductor devices such as HBT, HEMT, PHEMT, and briefly provides future trend. 本文介绍了超高速化合物器件HBT、HEMT、绝缘栅P-HEMT的结构、特点以及上述器件的当前国际水平和它们在21世纪通信系统中的应用与支撑地位,并对未来的发展趋势做一简单介绍。 2) insulation 绝缘 1. Study of insulation adhesive based on epoxy resins modified with PEPDMS; 环氧基苯基硅油改性环氧树脂绝缘胶的研究 2. Influence of insulation on diamond synthesis and its effective monitoring method; 绝缘程度对人造金刚石合成的影响及其有效监测办法 3. Study on Sialon Insulation Materials for Channel in Coal—Fired MHD Generator; 用于燃煤磁流体发电通道的Sialon绝缘材料的研究 3) Isolation 绝缘 1. Study on the isolation technology of metal shell plasma electrode pockels cell; 阳极化膜用于等离子体电光开关放电腔绝缘模拟研究 2. The theories of isolation inspecting in power supply systems are expounded. 介绍了采用不平衡电桥实施直流电源系统在线绝缘监测的原理 ,给出了直流电源系统故障接地电阻阻值及部位比例的理论计算公式。 3. The isolation for a giant super-high-voltage transformer is a paramountly important problem in the power system. 大型超高压变压器的绝缘问题是电力系统中的重大课题。 4) insulate 绝缘 1. Study and Application of the Main Transformer On-line Insulates Monitor in the Second Electric Power Plant of Hancheng; 韩城二电主变压器绝缘在线监测研究与应用 2. The On-line Insulates Monitor and Studies Application on the Main Transformer of the 220kV Transformer Substation; 220kV变电站主变压器绝缘在线监测研究及应用 3. Thesis aiming at the condition that large-acreage contamination flashover happened in electric network many times in our country under bad weather, the cause of large-acreage contamination flashover is analyzed from such ways as the insulated level of the power transformation device, air pollution and meteorologic. 本文针对我国电网在恶劣气候侵袭下,多次发生大面积污闪事故的情况,从输变电设备外绝缘水平、大气污染和气象因素等方面,分析了电网发生大面积污闪的原因,提出了现阶段输变电设备外绝缘配置原则和防污措施。 5) insulating 绝缘 1. Study and application of a composite insulating cover; 复合材料绝缘机罩的研制与应用 2. Contamiation flashover resistant coating was prepared with linear polysiloxane as matrix coating,high grade insulating compound as filler,PTFE as water repellents and compound N 9 as curing agent. 以线型聚硅氧烷为漆基 ,高绝缘材料为填料 ,聚四氟乙烯为助剂及复合型N - 9固化剂配制成防污闪涂料 ,该涂料的防污闪性能优良 ,实际带电运行表明 :在 0 4mg/cm2 盐密、 2 0mg/cm2 灰密下 ,污闪电压达到 36 9k 3. The polypyrrole (PPy) films with high conductivity and good activity are got by using two steps polymerization methods on the insulating substrate, that is chemical polymerization firstly, and electrochemical polymerization secondly by using the first films as electrode. 在绝缘性陶瓷基底上,运用先化学聚合、再以所得的聚吡咯(PPy)膜为电极进行电化学聚合的两步聚合法生成了电导率较高、活性高的PPy膜。 6) insulating shell 绝缘外壳参考词条绝缘子电绝缘绝缘电阻 B级绝缘绝缘保护母线绝缘绝缘板外绝缘绝缘层绝缘性能绝缘屏蔽绝缘涂膜单端双鞭毛补充资料：绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管 insulated gate bipolar transistor,IGBT 　　IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表　　说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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