1) direct tunneling gate current
直接隧穿栅电流
2) Direct tunneling current
直接隧穿电流
3) gate tunneling current
栅隧穿电流
4) edge direct tunneling current
边缘直接隧穿电流
1.
Simulation of the off-state gate current,drain current and substrate current in nano-scale MOSFET indicated that the edge direct tunneling current(IEDT) was far larger than conventional gate induced drain leakage current(IGIDL),subthreshold leakage current(ISUB),and band-to-band tunneling current(IBTBT),thus becoming the dominating off-state leakage current.
对纳米MOSFET关断态的栅电流、漏电流和衬底电流进行了模拟,指出边缘直接隧穿电流(IEDT)远远大于传统的栅诱导泄漏电流(IGIDL)、亚阈区泄漏电流(ISUB)及带间隧穿电流(IBTBT)。
5) tunneling leakage current
栅隧穿漏电流
1.
The results show that compared with the pure oxide gate dielectrics of the same EOT,N/O stack gate dielectrics have much better performance on the aspects of tunneling leakage current,SILC characteristics,and gate dielectrics lifetime.
结果表明 ,同样EOT的Si3 N4/SiO2 stack栅介质和纯SiO2 栅介质比较 ,前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远优于后者 。
6) direct tunneling
直接隧穿
1.
The direct tunneling effect in SiC Schottky contacts is simulated based on electron tunneling probabilities through a triangular barrier,which are accurately solved using the one-dimensional time-independent Schrdinger equation.
通过精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率,模拟了SiC肖特基接触的直接隧穿效应。
2.
The MOSFET gate currents of high k gate dielectrics due to direct tunneling are investigated by using a new direct tunneling current model developed.
提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型 。
3.
With the aggressive scaling down of MOS,the direct tunneling current will replace FN tunneling as the main issue effecting the MOS devices reliability.
对于栅厚为 3nm的超薄栅 MOS结构的界面用高斯粗糙面进行模拟来获取界面粗糙度对直接隧穿电流的影响 ,数值模拟的结果表明 :界面粗糙度对电子的直接隧穿有较大的影响 ,且直接隧穿电流随界面的粗糙度增加而增大 ,界面粗糙度对电子的直接隧穿的影响随着外加电压的增加而减小 。
补充资料：穿流式栅板塔
分子式：
分子量：
CAS号：
性质：板式塔的一种，不设降液管，无溢流装置，如图所示。气-液两相同向地通过栅板的缝隙。栅板也可作成筛孔形式。气相通过栅板孔缝上升，与气体接触后的液体则向下流。这种塔板的优点是：结构十分简单，易于制造加工，安装维修方便，可节省材料和投资；允许通过的气体流量较大，适应的生产能力也大；开孔率大，气体流速小，压力降也小，一般比泡罩塔低40%~80%，特别适于真空蒸馏；污垢不易沉积，孔道不易堵塞；可采用各种非金属耐腐蚀材料（如塑料、陶瓷、石墨等）加工制造。缺点是：操作弹性较小，塔板效率较小。不过由于孔缝处的气速较小，雾沫夹带也小，因而可缩小塔板的间距，在相同的分离条件下，塔的总高度与泡罩塔基本相同。这种塔在工业生产中有应用十分广泛。
分子量：
CAS号：
性质：板式塔的一种，不设降液管，无溢流装置，如图所示。气-液两相同向地通过栅板的缝隙。栅板也可作成筛孔形式。气相通过栅板孔缝上升，与气体接触后的液体则向下流。这种塔板的优点是：结构十分简单，易于制造加工，安装维修方便，可节省材料和投资；允许通过的气体流量较大，适应的生产能力也大；开孔率大，气体流速小，压力降也小，一般比泡罩塔低40%~80%，特别适于真空蒸馏；污垢不易沉积，孔道不易堵塞；可采用各种非金属耐腐蚀材料（如塑料、陶瓷、石墨等）加工制造。缺点是：操作弹性较小，塔板效率较小。不过由于孔缝处的气速较小，雾沫夹带也小，因而可缩小塔板的间距，在相同的分离条件下，塔的总高度与泡罩塔基本相同。这种塔在工业生产中有应用十分广泛。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条