1) Over etch
过刻蚀
1.
The main problems are the low Etch Rate Selectivity causing Over etch on the top Oxide of Gate and the low Etch Rate Uniformit.
18微米技术侧壁(Spacer)工艺在栅极密集区域,栅极底部有斜坡的缺陷,指出了现有设备和工艺所遇到的一些问题,然后针对所面临的主要问题,即因为刻蚀速率选择比不够高而造成对栅极上方氧化膜的过刻蚀,同时,刻蚀速率均匀性偏低,造成中心区域Spacer形状过于倾斜,线宽过小的问题。
2) overetched
['əuvə,etʃid]
过蚀刻的
3) over-etching
过份蚀刻
4) overetched
['əuvə,etʃid]
蚀刻过度的
5) sputter etch process
溅镀蚀刻过程
6) etching
[英]['etʃɪŋ] [美]['ɛtʃɪŋ]
刻蚀
1.
The quality study on excimer laser-induced electrochemical etching of silicon;
准分子激光电化学刻蚀硅的刻蚀质量研究
2.
Chemically etching vapor-deposited diamond films by using hydrogen plasma under graphitization effect of iron;
氢等离子体在铁催石墨化作用下对CVD金刚石膜的刻蚀
3.
Etching of a diamond film by oxygen plasma;
氧等离子体对金刚石膜的刻蚀研究
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条