1)  PAECE
光辅助电化学刻蚀法
1.
The main four fabrication techniques, namely laser drilling, wet etching, DRIE (deep reactive ion etching) and PAECE (photo assisted electro-chemical etching), are described in detail from the several aspects of principle, process, advantages and disadvantages.
介绍了硅基片微型通孔的用途及在微机电系统发展中的重要性,从原理、过程、优缺点等方面详细叙述了激光打孔法、湿法刻蚀法、深度反应离子刻蚀法(DRIE)和光辅助电化学刻蚀法(PAECE)等四种硅基片微型通孔的加工方法,并对各种方法进行了比较,提出了各种方法的适用范围。
2)  APACHEⅡ
APACHEⅡ
1.
Clinic value of APACHEⅡ on evaluating Acute Exacerbation of COPD (AECOPD) patients;
APACHEⅡ评分对AECOPD患者病情评估的临床价值研究
2.
Analysis of SAPSⅡ and APACHEⅡ score in 105 death cases;
105例死亡病例SAPSⅡ及APACHEⅡ分析
3.
Comparison of APACHEⅢ,SAPSⅡ,MPMⅡ_0 and APACHEⅡ scoring systems in evaluating severity of emergency internal illness;
APACHEⅢ、SAPSⅡ、MPMⅡ_0与APACHEⅡ在急诊内科危重病人病情评估中的比较
3)  APACHE-Ⅱ
APACHE-Ⅱ
1.
Value of APACHE-Ⅱ score on risk stratification in patients with acute myocardial infarction;
入院时APACHE-Ⅱ评分在急性心肌梗死患者危险分层中的应用价值
4)  APACHEⅡ
APACHEⅡ评分
1.
The Study of Correlation between The Inflammatory Cytokines and APACHEⅡ in Acute Poisoning;
急性中毒患者细胞因子水平与APACHEⅡ评分相关性研究
2.
The APACHEⅡ was detected in 48 patients admitted at ICU at the first day.
方法根据美国胸科医学会(ACCP)和危重病医学会(SCCM)制定的标准诊断,以2003年4月～2005年3月广州中医药大学第一附属医院48例符合SIRS诊断的ICU患者为研究对象,取得患者中医四诊资料,进行辨证,确定证型;同时进行APACHEⅡ评分。
3.
Platelet count and APACHEⅡ scores were performed immediately after hospitalization and 7?14 days later.
入院当天及第7、14天检查血小板和进行APACHEⅡ评分。
5)  APACHEⅢ
APACHEⅢ
1.
CLINICAL VALUATION COMPARISON OF LACTATE AND APACHEⅢON THE PROGNOSIS OF ICU PATIENTS i;
乳酸水平和APACHEⅢ对ICU危重患者预后临床评价的应用比较
2.
Comparison of APACHEⅢ,SAPSⅡ,MPMⅡ_0 and APACHEⅡ scoring systems in evaluating severity of emergency internal illness;
APACHEⅢ、SAPSⅡ、MPMⅡ_0与APACHEⅡ在急诊内科危重病人病情评估中的比较
3.
The Comparison of APACHEⅡ,APACHEⅢ,MODS(2004),SOFA Scores on the Evaluation of the Condition of ICU Serious Sepsis Patients;
APACHEⅡ、APACHEⅢ、MODS(2004)与SOFA评分对ICU严重脓毒症患者病情评估价值的比较
6)  APACHE Ⅲ
急性生理改变及慢性健康评估综合评分系统Ⅲ
参考词条
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：

性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。

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