1) Silicon photo-electrochemical etching
硅光电化学刻蚀
3) optical chemical etching
光化学蚀刻
1.
This article studies the process used optical chemical etching and electrochemical polishing synthetically,discusses the influence of the factor in the process and the application range of this process.
研究了光化学蚀刻与电化学抛光相结合的加工工艺 ,讨论了加工过程中各种因素对加工的影响及加工工艺的适用场合。
4) Electrochemical etching
电化学刻蚀
1.
The Study of Porous InP Formed by Electrochemical Etching;
电化学刻蚀方法制备多孔InP研究
2.
Then the electrochemical etching experiments are done in three electrodes electrobath .
对湿法刻蚀和电化学刻蚀中的工艺问题进行了初步的理论和实验研究,同时,采用SEM对实验样品进行了形貌分析,并采用电流突破模型对电化学深孔刻蚀机理进行了理论分析。
3.
In order to solve the difficulties in producing and welding tiny bridge-belt,twn methods- producing by electrochemical etching and laser welding with powder cladding were put forward.
针对微型桥带的成型与焊接工艺难题，提出了采用电化学刻蚀成型和利用粉末熔覆工艺进行激光焊接的工艺方法，并给出了具体的工艺过程，成功地实现了低成本、高质量、成批量的工业生产要求。
5) electrochemical etching
电化学蚀刻
1.
The electrochemical etching system used for neutron energy measurement consists of variable power supply, step-up transformer, etching cell and heater.
为了提高CR—39探测器的灵敏度,研制了电化学蚀刻系统。
6) PAECE
光辅助电化学刻蚀法
1.
The main four fabrication techniques, namely laser drilling, wet etching, DRIE (deep reactive ion etching) and PAECE (photo assisted electro-chemical etching), are described in detail from the several aspects of principle, process, advantages and disadvantages.
介绍了硅基片微型通孔的用途及在微机电系统发展中的重要性,从原理、过程、优缺点等方面详细叙述了激光打孔法、湿法刻蚀法、深度反应离子刻蚀法(DRIE)和光辅助电化学刻蚀法(PAECE)等四种硅基片微型通孔的加工方法,并对各种方法进行了比较,提出了各种方法的适用范围。
补充资料：光电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：在光照射下，半导体基质在与其相接触的电解质溶液中的溶蚀过程。这种技术用于半导体表面的光学制版工艺中。
CAS号：
性质：在光照射下，半导体基质在与其相接触的电解质溶液中的溶蚀过程。这种技术用于半导体表面的光学制版工艺中。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条