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1)  Si3N4 etching
氮化硅刻蚀
2)  Silicon photo-electrochemical etching
硅光电化学刻蚀
3)  Silicon etching
硅刻蚀
1.
It is reviewed various silicon etching methods for electronic devices.
概述了电子器件中的各种硅刻蚀技术,提出了新的旋转喷射硅腐蚀方案,对2种酸腐蚀挖槽方法进行了试验对比。
4)  silicon mesa etching
硅台刻蚀
5)  DRIE
硅深刻蚀
6)  Deep silicon etching
深硅刻蚀
补充资料:氮化硅晶须补强氮化硅陶瓷复合材料
分子式:
CAS号:

性质:以氮化硅陶瓷为基体,以氮化硅晶须为增强体的复合材料。它具有高强度、高硬度、耐高温、抗蠕变、抗氧化、抗化学腐蚀、抗热冲击、耐磨等优良性能,是一种重要的高温结构陶瓷。使用温度可达1300℃,可用在陶瓷刀具、拔丝模、轴承、涡轮转子、耐热坩埚等方面。采用粉末冶金复合法制备。这一复合材料的界面难以控制,一般氮化硅晶须要通过涂层,才能保持在烧结过程中的稳定性。

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