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1)  fet3/fet4 yeast mutant
酵母fet3fet4突变株
2)  yeast mutant strain
酵母突变株
3)  Mb.nramp1
酵母突变株DEY1453
4)  Kluyveromyces mutant
克鲁维酵母突变株
5)  yELP4 deletion mutant strain
酵母ELP4缺失突变株
6)  Mutant All of Saccharomycopsis fibuligera
扣囊复膜酵母突变菌株
补充资料:场效应晶体管(fieldeffecttransistor(FET))
场效应晶体管(fieldeffecttransistor(FET))

场效应晶体管(FET)是利用输入电压的电场作用控制输出电流的一种半导体器件。与双极晶体管相比,FET有很多优点,主要是:FET是依靠多数载流子工作的器件,所以又称单极晶体管,它没有少子存储效应,适于高频和高速工作,且耐辐射性好;FET的输入阻抗高,实际上不需输入电流,所以在模拟开关电路、高输入阻抗放大器、微波放大器中获得广泛的应用;FET的制造工艺相对比较简单。场效应晶体管可分为结型场效应管(JFET)、肖特基势垒栅场效应管(MESFET)和绝缘栅场效应管(MOSFET)三大类。而JFET和MOSFET又可再分为p沟道和n沟道器件。三类场效应管都有一个半导体材料的沟道(电流通路),沟道两端各有一个电极:一个叫做源极,一个叫做漏极。各种场效应管都有一个施加控制电压或电场的栅极。在FET工作时,栅极电压的变化会引起导电沟道电性能变化,从而控制了源和漏之间的电流。场效应管由于输入阻抗大,噪音小,极限频率高抗辐射能力强和制造工艺简单,它已广泛应用于包括放大及数字电路在内的各种电路中。FET也是集成电路的关键元件之一。

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