1) equationalizer
相等化子
2) plasma chemical vapor deposition
等离子体化学气相沉积
1.
Influence of discharge current on hot cathode plasma chemical vapor deposition of diamond films;
放电电流对热阴极等离子体化学气相沉积金刚石膜影响
2.
Effect of plasma chemical vapor deposition parameters on electron property in Ar plasma;
等离子体化学气相沉积参量对Ar等离子体电子特性的影响
3.
The relation between characteristics of hot cathode glow discharge and diamond film deposition techniques in hot cathode glow discharge plasma chemical vapor deposition process was discussed.
研究了在热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中,热阴极辉光放电特性与金刚石膜沉积工艺的关系。
3) PCVD
等离子体化学气相沉积
1.
DEPOSITION THEORY OF THIN HARD PCVD COATINGS;
等离子体化学气相沉积(PCVD)硬质膜成膜理论
2.
Si B N composite films had been prepared at proper processing parameters by RF PCVD.
使用工业射频等离子体化学气相沉积 (RF -PCVD)设备 ,通过控制合理的工艺参数 ,在不同的基体负偏压下 ,分别制备出了Si B N非晶以及含有h BN、c BN显著结晶相的Si B N复合薄膜。
3.
SnO 2 Sb thin film is prepared with PCVD The film possesses better gas sensitivity When temperature rises, the response time maintains almost the same but the recovery time reduces and the sensibility gets higher When the temperature reaches 200℃ or more, the sensitivity maintains stable The difference between the sensibility of the resistors of different resistance is small (4 refs
利用等离子体化学气相沉积法制备了ＳｎＯ２－Ｓｂ导电薄膜，测试了ＳｎＯ２－Ｓｂ的气敏效应。
6) plasma-enhanced chemical vapor deposition
等离子体化学气相生长
1.
Controlling the interfacial structure of cubic boron nitride thin film prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition;
系统地分析了硅衬底预处理对立方氮化硼薄膜中无定形初期层成分的影响,发现在等离子体化学气相生长法制备薄膜时,硅衬底上形成无定形初期层的可能原因有氧的存在、离子轰击以及高温下硅的氮化物的形成。
补充资料：波浪幅度相等规则
波浪幅度相等规则
数浪的型态交替规则之五性的是第3浪会出现延长。如果两个推动浪不相等，仍然会以0.618的黄金比率，出现相互对等的关系。对较大级数的价格波动周期，浪与浪之间的关系，不能纯粹以波动幅度来计算，而须改用百分比来计算幅度。对于较小级数的价格波动周期，浪与浪之间的关系，可用实际数目来表示。例如，美国股市1卯6年年底第1浪持续时间为47小时，幅度达35.24点。而第5浪则同样持续了47小时，幅度达34.40点，这说明波浪幅度相等规则是相当准确的。【波浪幅度相等规则]在第1、3、5浪的三个推动浪中，其中有两个浪在时间和程度上趋于接近，有一个浪会出现延长波浪，更具准确
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条