1) GaN (0001) surface
GaN(0001)表面
2) TiB2(0001) surface
TiB2(0001)表面
4) Mg(0001) surface
Mg(0001)表面
1.
By the first-principles calculations method based on the density functional theory, H2 adsorption and dissociation proper-ties on clean, vacancy defective and Pd atom coadsorption Mg(0001) surfaces are investigated systematically.
采用基于密度泛函理论的第一原理计算方法,研究了氢分子(H2)在清洁、空位缺陷及Pd原子吸附的Mg(0001)表面的吸附与解离性能。
5) Zr(0001)
锆(0001)表面
6) α-Al2O3(0001) surface
a-Al2O3(0001)表面
1.
The dynamic absorption of A1N on α-Al2O3(0001) surfaces was theoretically simulated with the plane wave ultra soft pseudo-potential model,based on electron density functional theory,to understand physical values,including the adsorption energy,bond formation and bonding orientation of A1N molecules.
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,对α-Al2O3(0001)表面吸附AlN进行了动力学模拟计算,研究了AlN分子在a-Al2O3(0001)表面吸附成键过程、吸附能量与成键方位。
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条