1) GaN/Si(001) interface
GaN/Si(001)界面
2) Si(001) surface
Si(001)表面
1.
First-principles study of atomic and electronic structures of the silicon oxide clusters on Si(001) surfaces
Si(001)表面硅氧团簇原子与电子结构的第一性原理研究
2.
By analyzing the band structures, the Si(001) surface varied from semiconductor to conductor, then to semiconductor again with increasing Li coverage.
由能带结构分析结果可知,随着覆盖度的增大,Si(001)表面存在由半导体→导体→半导体的变化过程。
3) Si(001)2×1 reconstructed surface
Si(001)重构表面
5) interfacial Si
界面Si
6) SiC/Si interface
SiC/Si界面
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条