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1)  Bi_2Sr_2CaCu_2O_X thin film
Bi_2Sr_2CaCu_2O_x超导薄膜
2)  superconducting thin film
超导薄膜
1.
Microwave properties of YBCO/LAO and YBCO/MgO superconducting thin films;
YBCO/LAO和YBCO/MgO超导薄膜的微波性质
2.
Effect of Tl_2O partial pressure on component phases and properties of Tl_2Ba_2CaCu_2O_8 superconducting thin films fabricated at lower temperature in pure argon atmosphere;
低温纯Ar气中Tl_2O分压对Tl_2Ba_2CaCu_2O_8超导薄膜相组成与性能的影响
3.
High T_c superconducting thin film of YBa_2Cu_3O_(7-x) and Zro_2 buffer layer have been de-posited in situ on(100)silicon substrate with excimer laser.
利用ZeCl准分子激光在(100)Si基片上原位淀积出ZrO_2缓冲层和YBa_2Cu_3O_(7-x)高T_c超导薄膜,薄膜的零电阻温度为82K。
3)  Superconducting film
超导薄膜
1.
The results shown that the superconducting films were polycrystalline with stronger c-axis texture.
对多层蒸镀经高温退火制备的T_c≥83K的超导薄膜进行了XRD及EPMA研究。
2.
Hollow cylindrical cathode, dc magnetron sputtering method was used to fabricate the YBCOsuperconducting films on LaAlO_3 and Zr(Y)O_2 substrate.
采用中空柱状阴极直流磁控溅射装置制备了YBCO超导薄膜。
3.
The results proved that PED could be an advisable method for superconducting film deposition.
高温超导薄膜生长是研究超导现象和超导器件的基础,一直是凝聚态物理研究的一个重要课题。
4)  Superconducting thin films
超导薄膜
1.
In Situ annealed superconducting thin films are acquired by pulsed laser deposition method.
采用脉冲激光沉积的方法在Al2O3(0001)基片上先生成MgB混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成MgB2超导薄膜,采用磁测量(MT)、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对MgB2超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影响。
2.
The most promising application of high-TC superconducting thin films is passive microwave devices and the fabrication of large-area double-sided YBCO thin films is a convenient way to realize large scale production and multi-component integration.
YBCO高温超导薄膜在高性能微波无源器件有着良好的应用前景,而大面积双面薄膜的制备在满足批量生产及多器件集成的同时,能够进一步提高微波无源器件的性能。
5)  superconducting MgB2 thin film
MgB2超导薄膜
1.
The superconducting MgB2 thin films were prepared on Al2O3 polycrystalline substrates by a two-step ex-situ magnesium-diffusion method with the precursor boron thin films grown by CVD from B2H6.
以高纯乙硼烷(B2H6)为B源,采用化学气相沉积(CVD)方法在多晶Al2O3衬底上沉积B薄膜,然后在Mg蒸气中异位退火来制备MgB2超导薄膜。
6)  MgB_2 thin film
MgB_2超导薄膜
1.
Microwave measurements of the MgB_2 thin film;
MgB_2超导薄膜的微波测量
补充资料:超导薄膜(superconductingfilm)
超导薄膜(superconductingfilm)

在平行于膜表面外磁场H0中厚为2d的小样品超导薄膜,由GL理论研究给出临界尺寸`d_K=sqrt5\delta_0//2=1.12\delta_0`和d<dK时的小样品临界磁场$H_{K_1}=sqrt6\delta_0H_{KM}//d$(d>dK时HK1称过冷临界磁场),这里δ0和HKM分别为对大样品言的弱场穿透深度和热力学临界磁场。在d=dK附近,金兹堡(V.L.Ginzburg)给出的研究结果用图示表示在图1~图4上,图中符号FSH和FnH分别是磁场中超导相和正常相的自由能密度,M和ψ0分别表示磁化强度和约化GL有序参量。

图1是d<dK的情形。在ψ0≠0时,两相自由能密度之差FSH-FnH有极小值,且因FSH<FnH,所以超导相是稳定的。随着H0的增大,极小值对应的ψ0值减小,到达H=HK1时,极小值对应的ψ0=0,样品转入正常态。整个过程没有滞后现象,在H=HK1时的相变为二级相变。

图2是d>dK的情形,H0增大在H0<HK1时只有极小值,超导相是稳定的。H0=HK1时在ψ0=0处隐含有极大值。H0在HK2>H0>HK1之间,在ψ0≠0时则既有极小值,又有极大值,但FSH<FnH时的极小值处的超导相仍是稳定的。FSH=FnH时的极小值对应的临界场HK称平衡临界磁场,对应于ψ0=ψ0K,这时的HK是超导稳定相与亚稳相的边界。H0再增大在HK2>H0>HK之间时,FSH>FnH,此时极小值的超导相是亚稳的。H=HK2时极小值消失,样品从ψ0≠0跃入ψ0=0的正常相。HK2称过热边界或过热临界磁场。相反过程,即样品处于正常态时减小磁场H0到HK2以下,但FSH>FnH,此时ψ0=0的正常相是稳定的。再减小至H0=HK时,FSH=FnH。再减小在HK1<H0<HK时,FSH<FnH,但ψ0=0的态比其旁边ψ0≠0的极大值所对应的态的能量要低,所以还可以出现ψ0=0的亚稳的正常相,故这里的H0=HK又是稳定的正常相和亚稳正常相的分界。再减小到H0=HK1,极大值消失,亚稳正常相也不存在,样品转入只存在极小值对应的稳定的超导相。现在的HK1称过冷边界或过冷临界磁场。所以在这两种过程中,有亚稳相出现,在HK<H0<HK2区间可存在亚稳超导相,在HK>H0>HK1区间可存在亚稳正常相。所以HK又是亚稳超导相和亚稳正常相的边界。见图3。出现亚稳相的相变是一级相变。d<dK时没有亚稳相(态)存在,d>dK才可有亚稳相(态)出现,所以dK是一级和二级相变的样品尺寸临界值,称临界尺寸。

超导薄膜以上所描述的磁性质,在样品磁化曲线图4上也正确地反映出来。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
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