1) Silicon/C Composite Film
硅碳薄膜
2) SiC thin film
碳化硅薄膜
1.
SiC thin film has many preferred properties,such as low density,high thermal conductivity,low thermal expansion coefficient,high hardness and so on.
碳化硅薄膜有密度小、热导率高、热膨胀系数低、硬度高等优异的性能。
3) Si 1-x-y Ge xC y thin film
锗硅碳薄膜
5) Nanocrystalline silicon carbon film
纳米硅碳薄膜
6) H SiC thin films
6H碳化硅薄膜
补充资料：铬硅电阻薄膜
分子式：
CAS号：
性质：以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构，可得到各种电性能材料。如随铬增加，电阻率下降，电阻温度系数可从负数逐渐变到正值，一般方阻3～5kΩ，电阻温度系数(100～150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取，主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
CAS号：
性质：以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构，可得到各种电性能材料。如随铬增加，电阻率下降，电阻温度系数可从负数逐渐变到正值，一般方阻3～5kΩ，电阻温度系数(100～150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取，主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条