1) Si/Ge Films
Si/Ge薄膜
2) SiN/a-Si/a-Ge/(Si/Ge)_3 thin films
SiN/a-Si/a-Ge/(Si/Ge)_3薄膜
3) Ge/Si thin film
Ge/Si薄膜材料
1.
The research of bias effect in fabricating Ge/Si thin film;
Ge/Si薄膜材料生长的偏压效应研究
4) Si/Ge multilayer
Si/Ge多层膜
1.
Photoluminescence of Si/Ge multilayer films deposited by ion-beam sputtering;
溅射Si/Ge多层膜及其发光誊性研究
2.
The Si/Ge multilayers have been prepared by ion beam sputtering technique.
本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征。
5) Ge/Si multilayer
Ge/Si多层膜
1.
Study on the Photoluminescence Properties of Ge/Si multilayer Films Deposited by Magnetron Sputtering;
磁控溅射Ge/Si多层膜的发光特性研究
6) Ge film
Ge薄膜
1.
Influence of Ar~+ energy on the crystalline property of Ge films fabricated by ion beam sputtering;
溅射Ar~+能量对离子束溅射制备Ge薄膜结晶性的影响
2.
The Ge films were grown by chemical vapor deposition(CVD),with GeH4 as the source of reactive gas,on GaN/Al2O3(0001)composite substrates.
本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨。
补充资料：Al-Si cast aluminium alloy
分子式：
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条