1) Ge(S_(90)Se_(10))_2 film
Ge(S90Se10)2薄膜
2) Ge film
Ge薄膜
1.
Influence of Ar~+ energy on the crystalline property of Ge films fabricated by ion beam sputtering;
溅射Ar~+能量对离子束溅射制备Ge薄膜结晶性的影响
2.
The Ge films were grown by chemical vapor deposition(CVD),with GeH4 as the source of reactive gas,on GaN/Al2O3(0001)composite substrates.
本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨。
3) Ge/SiO_2 film
Ge/SiO2薄膜
1.
Ge/SiO_2 film is deposited on p-Si(100)substrate by two-target alternation RF magnetron sputtering technique.
用射频磁控溅射双靶交替淀积的方法在p-Si(100)衬底上制备了Ge/SiO2薄膜,利用Au/Ge/SiO2/p-Si结构的I-V特性曲线研究了该结构的电流输运机制。
4) Ge-SiO 2 thin film
Ge-SiO2薄膜
5) Si/Ge Films
Si/Ge薄膜
6) Ge-SiO_2 thin films
Ge-SiO_2薄膜
1.
Ge-SiO_2 thin films were prepared by a RF co-sputtering technique on p-Si substrates.
用射频磁控溅射制备了Ge-SiO_2薄膜。
补充资料：Disperse Yellow SE-3GE
分子式：
CAS号：
性质： 褐色粉末。溶于浓硫酸和吡啶。加热时可溶于环丁砜。难溶于乙醇。不溶于水。在纯涤纶上染色牢度：日晒6，皂洗3～4，升华4。苯胺、三氯乙醛、盐酸羟胺经缩合、闭环，再与1-氨丙酮，苯酐缩合，经过滤，乙醇洗涤，研磨，干燥而得。也可由2-甲基-3-羟基喹啉与邻苯二甲酸酐缩合制得。主要用于涤纶的染色及印花。色光纯正，鲜艳，匀染性好，拼色性能优良。广泛用于快速染料的拼色。
CAS号：
性质： 褐色粉末。溶于浓硫酸和吡啶。加热时可溶于环丁砜。难溶于乙醇。不溶于水。在纯涤纶上染色牢度：日晒6，皂洗3～4，升华4。苯胺、三氯乙醛、盐酸羟胺经缩合、闭环，再与1-氨丙酮，苯酐缩合，经过滤，乙醇洗涤，研磨，干燥而得。也可由2-甲基-3-羟基喹啉与邻苯二甲酸酐缩合制得。主要用于涤纶的染色及印花。色光纯正，鲜艳，匀染性好，拼色性能优良。广泛用于快速染料的拼色。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条