1) Al/N-TiO_2 film
Al/N-TiO_2薄膜
1.
The aim of this investigation is to explore N-TiO_2 and Al/N-TiO_2 films with excellent hydrophilic property prepared by magnetron sputtering.
(2)用Al/Ti金属镶嵌靶,以O2、N2和Ar为工作气体,采用直流反应磁控溅射法制备Al-TiO_2、N-TiO_2和Al/N-TiO_2薄膜。
2) N-TiO_2 film
N-TiO_2薄膜
1.
The aim of this investigation is to explore N-TiO_2 and Al/N-TiO_2 films with excellent hydrophilic property prepared by magnetron sputtering.
主要工作包括: (1)用TiN陶瓷靶,以O2、Ar为工作气体,采用射频反应磁控溅射法制备N-TiO_2薄膜。
3) (Ti,Al)N
(Ti,Al)N薄膜
4) (Zr,Al)N coatings
(Zr,Al)N薄膜
6) (Ti,Al)N gradient films
(Ti,Al)N梯度薄膜
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条