1) Pd/TiO_2 films
Pd/TiO_2薄膜
2) thin film of Pd-TiO_2
Pd-TiO_2薄膜
3) Fe-Pd films
Fe-Pd薄膜
4) TiO_2 film
TiO_2薄膜
1.
Study on Photocatalysis of TiO_2 Film and Its Application in COD Determination;
TiO_2薄膜的光催化性能及其在化学需氧量测定中的应用研究
2.
Nanometer scale TiO_2 films are prepared on glass substrates with film thickness less than 100nm by sol-gel process combining with spin-coating technology.
采用溶胶-凝胶法,利用旋涂技术在玻璃表面制备了膜厚小于100nm的纳米TiO_2薄膜,以去离子水和苯作为水和油模型,利用XRD、AFM系统研究了煅烧温度、粒径及膜厚对薄膜双亲性的影响。
3.
The synthesized TiO_2 films were characterized by X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM)and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS).
凝胶法在铝基板表面制备了纳米晶TiO_2薄膜。
5) TiO_2 thin film
TiO_2薄膜
1.
Hydrophilic properties of Ag doped TiO_2 thin film;
掺银TiO_2薄膜的亲水特性
2.
Study on TiO_2 thin films for UV photodetector;
用于紫外光电导探测器的TiO_2薄膜研究
3.
The influence of La-doping on the properties of TiO_2 thin films
La掺杂对TiO_2薄膜性能的影响
6) TiO_2/Fe_2O_3 film
TiO_2/Fe_2O_3薄膜
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条