3) SiO_2-TiO_2-ZnO-CaO film
SiO_2-TiO_2-ZnO-CaO薄膜
1.
The SiO_2-TiO_2-ZnO-CaO film was coated on the surface of stainless steel through sol-gel method.
本研究采用溶胶-凝胶法在不锈钢表面制备了SiO_2-TiO_2-ZnO-CaO薄膜,用X射线衍射分析(XRD)研究了薄膜的晶相转变行为;利用电子显微镜观察和单位面积失重情况分析探讨了不同组成的溶胶-凝胶涂层的抗酸性(1mol/l的HCl)、抗蚀性(5%的CuSO_4溶液和6%的FeCl_3溶液)以及在800℃和1000℃高温下的抗氧化性。
4) TiO2/SiO2 composite thin films
TiO_2/SiO_2复合薄膜
1.
The uniform transparent TiO2/SiO2 composite thin films were prepared via sol-gel processing on the soda lime glass substrates.
通过 sol-gel工艺在普通钠钙玻璃表面制备了均匀透明的TiO_2/SiO_2复合薄膜。
5) TiO_2/SiO_2 composite film electrode
TiO_2/SiO_2薄膜电极
1.
In this paper, methylorange (MO) was chosen as one of the representatives of the organic pollutions, and theTiO_2/SiO_2 composite film electrode was prepared through the cathodic electrodepositionmethod.
本论文以甲基橙(MO)为模型污染物，通过电沉积法制备了TiO_2/SiO_2薄膜电极，研究了此薄膜电极光催化和光电催化降解MO的能力，并且将原电池技术引入到光催化中形成电耦合光催化体系，进一步研究了耦合技术的反应机理及影响电耦合光催化的一系列因素。
6) TiO_2/SiO_2 composite nanometer thin films
TiO_2/SiO_2复合纳米薄膜
1.
The uniform transparent TiO_2/SiO_2 composite nanometer thin films were prepared via sol-gel processing on the soda lime glass substrates.
通过 sol-gel工艺在钠钙玻璃表面制备了均匀透明的 TiO_2/SiO_2复合纳米薄膜 。
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条