1) gallium indium arsenide
镓铟砷
2) GaInP/GaAs
镓铟磷/镓砷
3) InGaAs
铟镓砷
4) GaInAsSb
镓铟砷锑
5) gallium indium arsenide phosphide GaInAsP
镓铟磷砷
6) Indium Gallium Arsenic(InGaAs)
铟镓砷(InCaAs)
补充资料:镓铟磷砷
分子式:
CAS号:
性质: 四元固溶体材料。为单相固溶体。能隙在0.74~1.35eV范围,相应发射波长为0.92~165μm,折射率较低,易于实现载流子限制和光限制。在磷化铟衬底上采用外延生长法制备。大量用于制备1.3~1.6μm波段无色散、低损耗石英光纤通信中光源、量子器件等。
CAS号:
性质: 四元固溶体材料。为单相固溶体。能隙在0.74~1.35eV范围,相应发射波长为0.92~165μm,折射率较低,易于实现载流子限制和光限制。在磷化铟衬底上采用外延生长法制备。大量用于制备1.3~1.6μm波段无色散、低损耗石英光纤通信中光源、量子器件等。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条