1) APV effect
反常光生伏打效应
2) abnormality
反常
1.
Escher,an art master built up a special "Escher phenomenon" in the illusion world,by using abnormality,optical illusion and deconstruction.
艺术大师埃舍尔用反常、视幻与解构创作手法建构了视觉世界中特有的"埃舍尔现象"。
3) anomaly
反常
1.
The anomaly is named to be an unsettled scientific problem that scientific epistemological subject(scientists or scientific workers) queries and rejects the existing theories during the course of the development of the scientific theories.
反常是指在科学理论发展过程中 ,科学认识主体 (主要是科学家或科学工作者 )在拒斥已有理论的前提下 ,对已有理论提出质疑的有待解决的科学问题。
2.
Abstract:First,we introduce the basic knowledge of anomaly.
我们先介绍了反常的基础知识,Atiyah-Singer指标定理和对易空间中推广的陈-Simons系列。
4) abnormal
反常
1.
Behind the abnormal phenomenon,there are kinds of deep-seated reasons.
这一反常现象背后有着深层次的原因。
2.
The feelings and behaviours of its characters often make people feel the unusual normal state,leading readers to study the innermost human nature and its evolving,distorting and combating in the abnormal state,thus making them understand the human nature in depth.
尤其是她笔下人物的心态与行为,总让人感到“反常中的正常”,能把读者引进人性的深处,深窥人性在“反常”中的演进、扭曲和抗争,从而促成读者对人性的深度理解。
5) Abnormal Refraction
反常折射
1.
It shows that,for the one-dimensional photonic crystals,there are abnormal refraction in the first band.
结果表明,对于一维光子晶体,在第一能带内,存在反常折射现象。
6) anomalous electric charge
“反常电荷”
1.
In the dynamic model of the subquark structure of a lepton,because of the equi-valume surface deformation of a lepton caused by the movement of the subquarks in it,the symmetry breaking of electromgnetic interaction occurs,so that the"anomalous mass"and the "anomalous electric charge"of a lepton e.
在轻子的亚夸克结构动态模型中,因亚夸克运动使轻子发生等体积表面形变产生电磁作用对称破缺,从而产生“反常质量”,“反常电荷”,则α值将不再是常数,是可变的。
参考词条
补充资料：光生伏打效应
由光照引起电动势的现象。严格来讲，包括两种类型：一类是发生在均匀半导体材料内部；一类是发生在半导体的界面。虽然它们之间有一定相似的地方，但产生这两个效应的具体机制是不相同的。通常称前一类为丹倍效应，而把光生伏打效应的涵义只局限于后一类情形。
半导体界面包括有:由于掺杂质不同而形成的P型区和N型区的界面,即PN结；金属和半导体接触的界面；不同半导体材料制成的异质结界面以及由金属－绝缘体－半导体组成的 MIS系统的界面。在这些界面处都存在有一个空间电荷区,其中有很强的电场,称为自建电场。光照产生的电子－空穴对，在自建电场作用下的运动，就是形成光生伏打效应的原因。下面以PN结为例进一步具体说明。
在PN结交界面处N区一侧带正电荷，P区一侧带负电荷，空间电荷区中自建电场的方向自N区指向P区。由于光照可以在空间电荷区内部产生电子－空穴对，它们分别被自建电场扫向N区和P区,就如同有一个电子由P区穿过空间电荷区到达N区,形成光致电流。在空间电荷区附近一定范围内产生的电子－空穴对，只要它们能通过扩散运动到达空间电荷区,同样可以形成光致电流,光照产生的电子和空穴扩散运动所能走的距离为扩散长度。光致电流使N区和P区分别积累了负电荷和正电荷，在PN结上形成电势差,引起方向与光致电流相反的N结正向电流。当电势差增长到正向电流恰好抵消光致电流的时候，便达到稳定情况，这时的电势差称为开路电压。如果PN结两端用外电路连接起来，则有一股电流流过，在外电路负载电阻很低的情况，这股电流就等于光致电流，称为短路电流。
光生伏打效应的应用之一是把太阳能直接转换成电能，称为太阳电池。目前，用硅单晶材料制造的太阳电池，已经广泛地应用于很多技术部门，特别是航天技术。但是单晶硅太阳电池造价比较高。1975年实现了非晶硅的掺杂效应以后，很多人认为利用大面积非晶硅薄膜制备太阳电池是很有希望的。此外，利用光生伏打效应制成的光电探测器件也得到广泛的应用。
半导体界面包括有:由于掺杂质不同而形成的P型区和N型区的界面,即PN结；金属和半导体接触的界面；不同半导体材料制成的异质结界面以及由金属－绝缘体－半导体组成的 MIS系统的界面。在这些界面处都存在有一个空间电荷区,其中有很强的电场,称为自建电场。光照产生的电子－空穴对，在自建电场作用下的运动，就是形成光生伏打效应的原因。下面以PN结为例进一步具体说明。
在PN结交界面处N区一侧带正电荷，P区一侧带负电荷，空间电荷区中自建电场的方向自N区指向P区。由于光照可以在空间电荷区内部产生电子－空穴对，它们分别被自建电场扫向N区和P区,就如同有一个电子由P区穿过空间电荷区到达N区,形成光致电流。在空间电荷区附近一定范围内产生的电子－空穴对，只要它们能通过扩散运动到达空间电荷区,同样可以形成光致电流,光照产生的电子和空穴扩散运动所能走的距离为扩散长度。光致电流使N区和P区分别积累了负电荷和正电荷，在PN结上形成电势差,引起方向与光致电流相反的N结正向电流。当电势差增长到正向电流恰好抵消光致电流的时候，便达到稳定情况，这时的电势差称为开路电压。如果PN结两端用外电路连接起来，则有一股电流流过，在外电路负载电阻很低的情况，这股电流就等于光致电流，称为短路电流。
光生伏打效应的应用之一是把太阳能直接转换成电能，称为太阳电池。目前，用硅单晶材料制造的太阳电池，已经广泛地应用于很多技术部门，特别是航天技术。但是单晶硅太阳电池造价比较高。1975年实现了非晶硅的掺杂效应以后，很多人认为利用大面积非晶硅薄膜制备太阳电池是很有希望的。此外，利用光生伏打效应制成的光电探测器件也得到广泛的应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。