1) Schottky anomaly
Schottky反常
2) schottky contacts
Schottky结
1.
Study on the reverse characteristics of Ti/6H-SiC Schottky contacts;
SiC Schottky结反向特性的研究
3) Schottky group
Schottky群
1.
Jorgensen s numbers of three types Schottky groups;
三类Schottky群的Jorgensen数
2.
Nielsen transformations and its inverse transformations of Schottky groups
Schottky群的Nielsen变换与逆变换
3.
This paper discusses the relationship among Type III, VI and VIII of Schottky groups in transformations and furthermore obtains some properties and theorems of these three types.
根据Nielsen变换定义,得出了其逆变换的表示形式,讨论了第Ⅲ类、第Ⅵ类和第Ⅷ类Schottky群在Nielsen逆变换下的相互转换关系,并进一步对这三种类型的相关性质进行了证明和推导。
4) abnormality
[英][,æbnɔ:'mæləti] [美]['æbnɔr'mælətɪ]
反常
1.
Escher,an art master built up a special "Escher phenomenon" in the illusion world,by using abnormality,optical illusion and deconstruction.
艺术大师埃舍尔用反常、视幻与解构创作手法建构了视觉世界中特有的"埃舍尔现象"。
5) anomaly
[英][ə'nɔməli] [美][ə'nɑməlɪ]
反常
1.
The anomaly is named to be an unsettled scientific problem that scientific epistemological subject(scientists or scientific workers) queries and rejects the existing theories during the course of the development of the scientific theories.
反常是指在科学理论发展过程中 ,科学认识主体 (主要是科学家或科学工作者 )在拒斥已有理论的前提下 ,对已有理论提出质疑的有待解决的科学问题。
2.
Abstract:First,we introduce the basic knowledge of anomaly.
我们先介绍了反常的基础知识,Atiyah-Singer指标定理和对易空间中推广的陈-Simons系列。
6) abnormal
[英][æb'nɔ:ml] [美][æb'nɔrmḷ]
反常
1.
Behind the abnormal phenomenon,there are kinds of deep-seated reasons.
这一反常现象背后有着深层次的原因。
2.
The feelings and behaviours of its characters often make people feel the unusual normal state,leading readers to study the innermost human nature and its evolving,distorting and combating in the abnormal state,thus making them understand the human nature in depth.
尤其是她笔下人物的心态与行为,总让人感到“反常中的正常”,能把读者引进人性的深处,深窥人性在“反常”中的演进、扭曲和抗争,从而促成读者对人性的深度理解。
补充资料：Mott-Schottky equation
分子式：
CAS号：
性质：该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系：式中ε为相对介电常数，εn为真空介电常数，N是施主（对n型半导体）或受主（对p型半导体）密度；E及Efb分别为电极电势及平带电势，均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述方程，对E作图应为一直线，即莫特-肖特基图。直线的延长线在纵轴上的截距可以给出Efb；从直线的斜率可求得N。但表面态的干扰会造成偏离莫特-肖特基理论关系式。所以应核实由此图得到的“Efb”与电容测量中所用的频率无关。
CAS号：
性质：该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系：式中ε为相对介电常数，εn为真空介电常数，N是施主（对n型半导体）或受主（对p型半导体）密度；E及Efb分别为电极电势及平带电势，均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述方程，对E作图应为一直线，即莫特-肖特基图。直线的延长线在纵轴上的截距可以给出Efb；从直线的斜率可求得N。但表面态的干扰会造成偏离莫特-肖特基理论关系式。所以应核实由此图得到的“Efb”与电容测量中所用的频率无关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条