1) SiGe
锗硅材料
2) Ge/Si
锗/硅
1.
Hole storage characteristics in Ge/Si hetero-nanocrystal-based memories;
锗/硅异质纳米结构中空穴存储特性研究
2.
p-Channel Ge/Si Hetero-Nanocrystal Based MOSFET Memoryand Its Logic Array;
p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列
3.
The charge storage characteristic of Ge/Si double-layer quantum-dots floating-gate nano-memory was investigated.
设计了一种新型的存储器结构单元———锗/硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器。
3) GeSi
锗硅
1.
GeSi quantum dots studied by grazing incidence small angle X-ray scattering;
锗硅量子点掠入射小角X射线散射研究
4) SiGe
锗硅
1.
Electrical characteristics and selective growth of SiGe by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition;
超高真空CVD选择性外延锗硅及其电学特性
2.
Design and simulation of high Ge content PIN SiGe photo-detector;
高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟
3.
Research on Material Growth of Long Wavelength SiGe Photodectors;
长波长锗硅光电探测器的材料生长研究
5) Si 1-xGe x
锗-硅
6) Si doped Ge
掺锗硅
参考词条
补充资料：氮化硅晶须补强碳化硅陶瓷复合材料
分子式：
CAS号：
性质：以碳化硅陶瓷为基体，以氮化硅晶须为增强体的复合材料。它既保留了碳化硅陶瓷优良的耐高温、抗蠕变、抗氧化、抗化学腐蚀、耐磨等性能，又具有比碳化硅陶瓷更高的强度和韧性，最高使用温度可达1400℃以上。由于氮化硅晶须与碳化硅陶瓷基体具有较好的物理相容性，化学性质相近，界面的结合力较强。该复合材料的烧结温度高，界面控制困难，成本高，主要用于航空、航天领域的高温部件。
CAS号：
性质：以碳化硅陶瓷为基体，以氮化硅晶须为增强体的复合材料。它既保留了碳化硅陶瓷优良的耐高温、抗蠕变、抗氧化、抗化学腐蚀、耐磨等性能，又具有比碳化硅陶瓷更高的强度和韧性，最高使用温度可达1400℃以上。由于氮化硅晶须与碳化硅陶瓷基体具有较好的物理相容性，化学性质相近，界面的结合力较强。该复合材料的烧结温度高，界面控制困难，成本高，主要用于航空、航天领域的高温部件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。