1) virtual SiGe substrates
锗硅虚衬底
2) virtual substrate
硅锗虚衬底
3) SiGe Relaxed Virtual Substrates
弛豫锗硅虚拟衬底
4) Relaxed-SiGe substrates
硅锗弛豫衬底
5) Si substrate
硅衬底
1.
The humidity sensor is fabricated with nanometer BaTiO3 film on Si substrate.
用硬脂酸盐法合成纳米钛酸钡材料,丝网印刷法将纳米钛酸钡涂在硅衬底上制成电阻式湿敏元件。
6) Silicon substrate
硅衬底
1.
GaN/Si based devices are of great interest because the silicon substrate has superior properties, such as low-cost,high thermal conductivity,potential applications in the integration of the microelectronics and opto- electronics,mature technology in growth of Si single crystal with large diameter.
介绍了 GaN 薄膜开裂问题及近期硅衬底 GaN 基 LED 的研究进展。
2.
The dynamical process of CMP used in silicon substrate in ULSI is analyzed,and a new viewpoint is put forward.
在分析 UL SI中硅衬底 CMP的动力学过程基础上 ,提出了在机械研磨去除产物过程中 ,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程 ,从而提高抛光效率 。
3.
A simple method to synthesize single crystal silicon nanowires(SiNWs)on the iron-deposided silicon substrate by a catalytic(0.
采用以硅衬底为硅源的简单方法,在蘸有一层催化剂(0。
补充资料：衬经衬纬圆纬机
用以编织衬经衬纬针织物的圆型纬编针织机。它在编织平针组织的同时,衬入不参加成圈的经纱和纬纱,形成衬经衬纬针织物。其基本组织结构如图1所示。 这种针织物的纵向和横向的延伸度都较小，具有机织物的特性，除适合做各种外衣外，还可作灌溉用涂塑管道的骨架。在衬经衬纬圆纬机上，有三组纱线：衬经纱、衬纬纱、成圈纱参加编织。其编织机构如图2所示。
机器的针筒固定在台面上，三角座相对于针筒回转。衬经纱从固定的纱架上引出，通过分经盘（或导经片）由上而下经过针间衬入织物线圈纵行间。所有衬经纱从针筒口向外倾斜一定角度，形成圆锥面，便于成圈纱的喂入。衬纬纱筒子架位于衬经纱外侧，与三角座一起回转，通过导纬器将纬纱衬入针背与经纱之间，依次横向搁在针上的旧线圈上方。成圈纱筒子架位于衬经纱内侧，与三角座同步回转。导纱器处于织针与衬经纱之间，把成圈纱喂入针钩内编织成圈，形成平针组织，同时，使其线圈的沉降弧从内侧包住衬经纱，圈柱从外侧包住衬纬纱，从而使三组纱线结合在一起，形成一种基本的衬经衬纬针织物。 衬经衬纬针织物用于外衣产品时，由于衬经纱和衬纬纱之间没有交织点，易于拱出，因此，需改变其组织结构。例如，通过导经片将衬经纱在针头上绕一圈，并把它向下转移到旧线圈处,再和旧线圈一起向上套圈,使衬经纱与成圈纱结合得更紧密。另外，适当加粗衬纬纱，也可提高衬经衬纬针织物的结构稳定性。
机器的针筒固定在台面上，三角座相对于针筒回转。衬经纱从固定的纱架上引出，通过分经盘（或导经片）由上而下经过针间衬入织物线圈纵行间。所有衬经纱从针筒口向外倾斜一定角度，形成圆锥面，便于成圈纱的喂入。衬纬纱筒子架位于衬经纱外侧，与三角座一起回转，通过导纬器将纬纱衬入针背与经纱之间，依次横向搁在针上的旧线圈上方。成圈纱筒子架位于衬经纱内侧，与三角座同步回转。导纱器处于织针与衬经纱之间，把成圈纱喂入针钩内编织成圈，形成平针组织，同时，使其线圈的沉降弧从内侧包住衬经纱，圈柱从外侧包住衬纬纱，从而使三组纱线结合在一起，形成一种基本的衬经衬纬针织物。 衬经衬纬针织物用于外衣产品时，由于衬经纱和衬纬纱之间没有交织点，易于拱出，因此，需改变其组织结构。例如，通过导经片将衬经纱在针头上绕一圈，并把它向下转移到旧线圈处,再和旧线圈一起向上套圈,使衬经纱与成圈纱结合得更紧密。另外，适当加粗衬纬纱，也可提高衬经衬纬针织物的结构稳定性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条