2) film preparation
薄膜制备
1.
Based on some related experiments of modern physics,such as film preparation and detection,etc.
以近代物理实验的薄膜制备与检测等相关实验内容为例,讨论了在教学方法中相关性研究实验专题内容及目标的确定;实验教学的组织与安排及实验成绩的评定。
5) TiO_2 film
TiO_2薄膜
1.
Study on Photocatalysis of TiO_2 Film and Its Application in COD Determination;
TiO_2薄膜的光催化性能及其在化学需氧量测定中的应用研究
2.
Nanometer scale TiO_2 films are prepared on glass substrates with film thickness less than 100nm by sol-gel process combining with spin-coating technology.
采用溶胶-凝胶法,利用旋涂技术在玻璃表面制备了膜厚小于100nm的纳米TiO_2薄膜,以去离子水和苯作为水和油模型,利用XRD、AFM系统研究了煅烧温度、粒径及膜厚对薄膜双亲性的影响。
3.
The synthesized TiO_2 films were characterized by X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM)and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS).
凝胶法在铝基板表面制备了纳米晶TiO_2薄膜。
6) TiO_2 thin film
TiO_2薄膜
1.
Hydrophilic properties of Ag doped TiO_2 thin film;
掺银TiO_2薄膜的亲水特性
2.
Study on TiO_2 thin films for UV photodetector;
用于紫外光电导探测器的TiO_2薄膜研究
3.
The influence of La-doping on the properties of TiO_2 thin films
La掺杂对TiO_2薄膜性能的影响
补充资料：半导体薄膜的制备
半导体薄膜的制备
preparation of semiconductor thin films
半导体薄膜的制备preparation。f semieondue-tor thin films在任何衬底上，生长多晶、微晶及非晶薄膜的技术。一般生长温度均比外延的要低。最常用的方法是化学气相沉积(CVD)。CVD又分为常压CVD(APCVD)、低压CVD(LPCVD)、等离子增强CVD(PECVD)和光CVD(PCVD)等方法。其淀积温度按上列次序而递减(在900一100℃范围内变化)。淀积压力可从常压到7 Pa。反应能可用热能、辉光放电能、光能提供。在实际应用中，淀积的薄膜必须满足下列要求:膜厚均匀，薄膜的结构和成分是可控的，制备上可重复的，价廉，容易实现自动化和安全生产。 对具有很小尺寸的超大规模集成电路(VLSI)器件要求精密的光刻，有各向异性的图形转换和很浅的结。这些条件对淀积薄膜工艺提出了新的要求，主要是淀积温度低，以防止浅结的移动;在各向异性腐蚀的表面上有保持图形的台阶覆盖，使其工艺诱发缺陷低以及生产效率高。按上述要求，CVD方法中，以LPCVD法为最好，因其温度适中，薄膜按化学比组成，均匀性好，损伤小，生产效率高。 半导体薄膜广泛用于集成电路中。其中氮化硅膜有抗氧化能力，可用来实现器件的等平面结构;还有抗Na离子和抗潮性能，借以作为电路的表面保护。氧化硅膜用来作为栅介质和绝缘介质。多晶硅膜可用硅烷在600一650℃热分解得到，多晶硅膜可用作金属一氧化物-半导体(MOS)器件的栅电极、多层布线的导电层和浅结器件的接触材料。多晶硅通常在无掺杂下淀积，AS、P或B等掺杂元素随后用扩散、离子注入的方法引入。非外延薄膜除了在集成电路中应用外，非晶硅膜广泛用于太阳电池制作，非晶硅是用硅烷在低温下热分解得到(见非晶硅制备)。(汪师俊)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条