1) CdS/TiO_2 film
CdS/TiO_2薄膜
2) CdS/ TiO_2 compound films
CdS/TiO_2复合薄膜
3) CdS-TiO_2 compound film
CdS-TiO_2复合薄膜
4) CdS thin film
CdS薄膜
1.
Study on the cation recognition characteristic of CdS thin film photoelectrochomical cell;
CdS薄膜及其光电化学电池阳离子识别特性的研究
2.
Effects of pH Value on CdS Thin Films Grown by Chemical Bath Deposition;
pH值对化学沉积CdS薄膜性质的影响
3.
CdS thin films were prepared by chemical bath deposition method in aqueous solutions containing cadmium acetate,ammonium acetate,ammonia and thiourea.
CdS薄膜的电阻率在104~105Ω。
5) CdS thin films
CdS薄膜
1.
Preparation and properties of CdS thin films with large area;
大面积CdS薄膜的沉积及其性质研究
2.
:The optical, compositional and structural properties of CdS thin films prepared by chemical bath deposition CBD) technique have been studied by XRD,AFM, XPS and optical transmittance spectra measurements.
通过沉积高质量的CdS薄膜,获得了效率约13 4%的CdS/CdTe小面积太阳电池。
3.
CdS thin films and CdS nanocrystal were synthesized by spray pyrolysis technique and hydrothermal method, respectively.
通过溶胶 凝胶法获得块材CdS纳米颗粒/介孔SiO2组装体系样品,喷雾热解获得CdS薄膜,水热法合成CdS纳米晶,室温下的拉曼谱中观察到CdS的两个特征峰;在氮气中做了退火处理,发现CdS/SiO2介孔组装体系和CdS薄膜的吸收边随退火温度升高而移动,与XRD图谱中衍射峰宽化减弱相对应,其分别归属于量子尺寸效应和缺陷等的变化。
6) CdS film
CdS薄膜
1.
The untreated CBD-CdS films had poor crystallinity;the CdS thin film made with annealing treatment had cubic crystallinity but small grain size.
用化学沉积方法在沉积温度为90℃下制备了CdS薄膜。
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条