1) Cr-Si silicide films
铬硅化物薄膜
2) Silicon oxides film
硅氧化物薄膜
3) Cr-Si thin film resistor
铬硅电阻薄膜
4) Chromium oxide coating
氧化铬薄膜
1.
Chromium oxide coatings were deposited by radio frequency reactive magnetron sputtering.
本论文采用射频反应磁控溅射方法制备了氧化铬硬质薄膜,利用X射线、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电镜(TEM)研究了氧化铬薄膜微观结构及生长机理,并综合利用纳米力学测试系统、UMT显微力学测试系统研究了薄膜的微观结构与力学性能之间的相关性。
6) silicon nitride film
氮化硅薄膜
1.
Microfabrication of silicon nitride film applied in microsensor;
微型传感器中氮化硅薄膜的微加工技术
2.
The structure and the property of amorphous silicon nitride film formed by direct current-plasma chemical vapour deposition (DC-PCVD) were analyzed.
对用直流等离子体化学气相沉积(DC—PCVD)法得到的非晶态氮化硅薄膜结构与性能进行了研究。
3.
0eV laser excitation, six luminescence emission bands of LPCVD silicon nitride film were observed corresponding to 2.
０ｅＶ的激光激发下，在室温下ＬＰＣＶＤ氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光，其峰位位置分别为２。
补充资料：硅化铬晶体
分子式： CrSi2
CAS号：
性质：周期表第Ⅳ、Ⅵ族元素化合物半导体。六角晶系，密度4.4g/cm3，禁带宽度0.35eV，电阻率10-5Ω·m。熔点1550～1750℃。温差电材料优质系数0.25×10-3K-1。一般为p型材料，掺锰形成n型材料。采用金属氧化物与硅还原法、化学气相沉积或溅射法制备。为优良温差电材料。
CAS号：
性质：周期表第Ⅳ、Ⅵ族元素化合物半导体。六角晶系，密度4.4g/cm3，禁带宽度0.35eV，电阻率10-5Ω·m。熔点1550～1750℃。温差电材料优质系数0.25×10-3K-1。一般为p型材料，掺锰形成n型材料。采用金属氧化物与硅还原法、化学气相沉积或溅射法制备。为优良温差电材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条