1) Colossal Magnetoresistance (CMR) Effect
超大磁电阻(CMR)效应
2) colossal magnetoresistance(CMR)
超大磁电阻效应(CMR)
3) colossal magnetoresistance
超大磁电阻效应
1.
Since the discovery of colossal magnetoresistance effect (CMR) in perovskite manganites, it has sparked considerable renewed interests in these long-known materials with an eye towards both an understanding of the CMR and related properties and potential applications in magnetic information store and low-field magnetic sensors.
以钙钛矿结构氧化物为代表的巨磁电阻材料,由于它们所表现出来的超大磁电阻效应(Colossal Magnetoresistance)在提高磁存储密度及磁敏感探测元件上具有十分广阔的应用前景,因而受到人们的广泛关注。
2.
Recently, since the discovery of colossal magnetoresistance effect (CMR) in perovskite manganites, it has sparked considerable renewed interests in these long-known materials with an eye towards both an understanding of the CMR and related properties and potential applications in magnetic information store and low-field magnetic sensors.
近年来，以钙钛矿结构氧化物为代表的巨磁电阻材料，由于它们所表现出来的超大磁电阻效应(Colossal Magnetoresistance)在提高磁存储密度及磁敏感探测元件上具有十分广阔的应用前景，因而受到人们的广泛关注。
3.
Since the discovery of colossal magnetoresistance effect (CMR) in per-ovskite manganites, it has sparked considerable renewed interests in these long-known materials with an eye towards both an understanding of the CMR and related properties and potential applications in magnetic information store and low-field magnetic sensors.
以钙钛矿结构氧化物为代表的巨磁电阻材料，由于它们所表现出来的超大磁电阻效应(Colossal Magnetoresistance)在提高磁存储密度及磁敏感探测元件上具有十分广阔的应用前景，因而受到人们的广泛关注。
4) colossall magnetoresistance (CMR) effect
巨磁(CMR)效应
5) colossal magnetoresistance effect
超大磁阻效应
6) CMR effect
CMR效应
1.
Preparation and CMR effect of Epitaxial Film La_(0.875)Na_(0.125)MnO_3;
La_(0.875)Na_(0.125)MnO_3外延膜的制备及CMR效应
2.
Polycrystalline samples were prepared successfully by solid-state reaction,and the influence on transport properties and magnetoresistance of different elements substitution in La-site of LaMnO_3 was investigated;We clearly point out that the substitution in La-site is an efficient method for promoting and modulating the CMR effect of perovskite manganite.
33时体系为最佳导电和CMR态,其本质原因是双交换(DE)作用和Jahn-Teller效应;La1-xMxMnO3(M为Te,Ce,Zr,Sb等)电子掺杂型锰氧化物在发生PM-FM转变的同时伴随半导体-金属的相变,而两个相变温度Tc与Tp非常接近,在Tc附近具有CMR效应,这种现象我们认为可用广义的DE模型来解释。
3.
The experimental evidences show that both actions of double exchange interaction and small polarons are responsible for the variation of the CMR effect.
实验结果表明,是双交换作用和小极化子效应的共同作用决定了CMR效应的特性。
补充资料：磁电阻效应
磁电阻效应
magneto-resistance effect
磁电阻效应magneto一resistanee effect强磁性、弱磁性金属和半导体材料的电阻率在磁场中产生的变化现象。简称磁阻效应。它是电流磁效应中的一种，与磁路中的磁阻不同。1856年W.汤姆孙(Thomson)首先发现金属的磁电阻效应。1930年L.W.舒布尼科夫(Shubnikov)和W.J.德哈斯(de Haas)发现金属秘(Bi)单晶体的电阻率在低温下随磁场变化时而发生振荡的现象。 磁电阻效应的产生，是由于磁场或磁有序状态改变了导体和半导体中载流子(电子和空穴)的散射情况，因而使电阻改变。广义的磁电阻效应有:①磁致电阻效应。又称汤姆孙效应。简称磁电阻效应、磁阻效应。②磁致电阻率振荡效应。常称舒布尼科夫一德哈斯效应。③磁致电阻率最小效应。又称近藤效应。磁(致)电阻效应表现在Fe、Ni等铁磁金属，在纵向(测电阻方向)磁化时，电阻率增加;在横向(垂直于测电阻方向)磁化时，电阻率减小。磁(致)电阻效应表现在Bi、Sb等抗磁性金属，则是在任何方向的磁场下，电阻率都增加，杂质对电阻率的影响显著。Bi的磁电阻效应最大，可用于测量磁场。钱普贝尔(Cham曲elD总结的实验性规律为:弱磁(抗磁和顺磁)性金属，不论在纵向或横向磁场中，磁电阻都增加，电阻增量约与磁场强度平方成正比;铁磁性金属，在纵向磁场中起初迅速增大，然后趋向饱和，但在横向磁场中，却是开始时缓慢减小，然后迅速减小，最后趋向饱和。 磁电阻效应已在磁记录头和磁传感器中得到应用。磁致电阻率振荡的舒布尼科夫一德哈斯效应，在低温强磁场情况下，在半金属和高g因数半导体(如Insb，1llAs)中特别显著，可用于研究能级结构和电子有效质量，还可研究一些物质的费米(Fermi)面。在电阻率温度关系中出现最小值的近藤效应，与固体中磁性掺杂和磁状态等密切相关，因而在磁学和固体理论研究中有重要应用。(李国栋)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条