1) giant magnetoresistance effect
巨磁电阻效应
1.
Development and application of giant magnetoresistance effect experimental apparatus
巨磁电阻效应实验仪的研制与应用
2.
The particular magnetic effects, which are the giant magnetoresistance effect and the magnetic relaxation effect, of the granular films at low temperature have been studied.
采用射频溅射法制备了纳米Fe-In2O3颗粒膜,研究了颗粒膜在低温下的两种特殊磁效应——巨磁电阻效应和磁性弛豫效应。
3.
A brief review is given of the research status of the giant magnetoresistance effect and giant magnetoimpedance effect of metallic soft magnetic alloy multilayered films.
概括介绍了金属软磁合金多层薄膜巨磁电阻效应和巨磁阻抗效应的研究和应用,对多层薄膜的制备方法和表征手段作了介绍。
3) GMR
巨磁电阻效应
1.
Mechanisms and influencing factors on GMR of metallic granular films;
金属颗粒膜巨磁电阻效应的机制和影响因素
2.
An introduction to the theory and current research and application state of Giant Magnetoresistance(GMR),which independently discovered by French scientist Albert Fert and German Scientist Peter Grünberg.
介绍2007年诺贝尔物理学奖得主,法国科学家阿尔贝·费尔和德国科学家彼得·格林贝格尔,他们在1988年前后各自独立发现的巨磁电阻效应;阐述它的基本原理及其当今研究的新进展与应用前景。
3.
The reasons of why 2007 Nobel Prize in Physics is given to GMR effect have been analysis in this paper.
法国科学家Albert Fert和德国科学家Peter Grünberg因发现巨磁电阻效应(GMR)而获得2007年度诺贝尔物理学奖。
4) colossal magnetoresistance
巨磁电阻效应
1.
The colossal magnetoresistance (CMR) effec.
在掺Tb的样品中明显存在巨磁电阻效应,磁场为2T,温度为300和77K分别测得(La0。
2.
33)MnO_3 (R=Pr,Y,Ho,Gd,Dy) with colossal magnetoresistance effect have been investigated systematically.
本论文系统地研究了具有巨磁电阻效应钙钛矿型锰氧化物La_(0。
5) giant magnetoresistance
巨磁电阻效应
1.
The giant magnetoresistance of the films was measured by the four-line method.
用SEM和XRD对镀层组分、微观结构进行观察和分析,并测量了膜层的巨磁电阻效应。
2.
The effect of Co ion implantation, anneal temperature and the structure of multilayer on the surface morphology, giant magnetoresistance (GMR) and magnetic property of discontinuous NiFeCo/Ag multilayer films were investigated.
用射频磁控溅射及离子束改性技术制备了由接近零磁致伸缩三元合金NiFeCo和非磁性金属Ag组成的多层膜与非连续多层膜，研究了注入Co离子、退火温度和多层膜结构对NiFeCo／Ag非连续多层膜的表面形貌、巨磁电阻效应(GMR)和磁性的影响；用四探针法和振动样品磁强计分别测试了非连续多层膜的巨磁电阻效应和磁性能；用X射线衍射仪分析了非连续多层膜的相结构；用俄歇能谱仪分析了非连续多层膜的成份；用扫描电镜、原子力显微镜观测了非连续多层膜的表面形貌。
6) GMR resistive
巨磁电阻抗效应
补充资料：磁电阻效应
磁电阻效应
magneto-resistance effect
磁电阻效应magneto一resistanee effect强磁性、弱磁性金属和半导体材料的电阻率在磁场中产生的变化现象。简称磁阻效应。它是电流磁效应中的一种，与磁路中的磁阻不同。1856年W.汤姆孙(Thomson)首先发现金属的磁电阻效应。1930年L.W.舒布尼科夫(Shubnikov)和W.J.德哈斯(de Haas)发现金属秘(Bi)单晶体的电阻率在低温下随磁场变化时而发生振荡的现象。 磁电阻效应的产生，是由于磁场或磁有序状态改变了导体和半导体中载流子(电子和空穴)的散射情况，因而使电阻改变。广义的磁电阻效应有:①磁致电阻效应。又称汤姆孙效应。简称磁电阻效应、磁阻效应。②磁致电阻率振荡效应。常称舒布尼科夫一德哈斯效应。③磁致电阻率最小效应。又称近藤效应。磁(致)电阻效应表现在Fe、Ni等铁磁金属，在纵向(测电阻方向)磁化时，电阻率增加;在横向(垂直于测电阻方向)磁化时，电阻率减小。磁(致)电阻效应表现在Bi、Sb等抗磁性金属，则是在任何方向的磁场下，电阻率都增加，杂质对电阻率的影响显著。Bi的磁电阻效应最大，可用于测量磁场。钱普贝尔(Cham曲elD总结的实验性规律为:弱磁(抗磁和顺磁)性金属，不论在纵向或横向磁场中，磁电阻都增加，电阻增量约与磁场强度平方成正比;铁磁性金属，在纵向磁场中起初迅速增大，然后趋向饱和，但在横向磁场中，却是开始时缓慢减小，然后迅速减小，最后趋向饱和。 磁电阻效应已在磁记录头和磁传感器中得到应用。磁致电阻率振荡的舒布尼科夫一德哈斯效应，在低温强磁场情况下，在半金属和高g因数半导体(如Insb，1llAs)中特别显著，可用于研究能级结构和电子有效质量，还可研究一些物质的费米(Fermi)面。在电阻率温度关系中出现最小值的近藤效应，与固体中磁性掺杂和磁状态等密切相关，因而在磁学和固体理论研究中有重要应用。(李国栋)
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参考词条