1) fabricating polycrystalline silicon thin film
多晶硅薄膜制备
2) polycrystalline silicon film
多晶硅薄膜
1.
Effect of hydrogen dilution on structure and optical properties of polycrystalline silicon films;
氢稀释对多晶硅薄膜结构特性和光学特性的影响
2.
Control of grain size during low-temperature growth of polycrystalline silicon films;
多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制
3.
The origin structure of a-Si∶H films is closely related to the recrystallizaiton temperature,the grain size and electrical properties of polycrystalline silicon films,which were formed by recrystallization annealing of a-Si∶H films.
用a -Si∶H薄膜经退火晶化成的多晶硅薄膜 ,其晶化温度、晶粒尺寸和电性能与薄膜的初始结构有密切关系 ,而a -Si∶H薄膜的初始结构依赖于沉积条件。
3) polysilicon thin films
多晶硅薄膜
1.
A novel method for electrically measuring the thermal expansion coefficient of polysilicon thin films is presented.
提出了一种新型多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试结构,给出了热机电耦合模型和测试方法,并利用Coventor软件和ANSYS软件进行模拟和验证。
2.
A test structure to measure the diffusivity of polysilicon thin films is proposed.
本文提出了一种表面加工多晶硅薄膜的在线测试结构。
3.
An on-line test structure for measuring the thermal conductivity of polysilicon thin films is proposed.
提出了一种在线测试表面加工多晶硅薄膜热导率的结构 ,推导了热学模型 ,给出了测试方法 ,用 ANSYS验证了热学模型 。
4) polycrystalline silicon thin film
多晶硅薄膜
1.
Study on low temperature electrical properties of polycrystalline silicon thin films deposited at low temperatures using SiCl_4/H_2;
SiCl_4/H_2为气源低温沉积多晶硅薄膜低温电学特性的研究
2.
Study of preparing polycrystalline silicon thin film by RTA
快速热退火制备多晶硅薄膜的研究
3.
Effects of thickness and grain size on Voc,Jsc,and ( of n +/p and n +/p p + polycrystalline silicon thin film solar cells have been calculated by PC1D.
利用PC1D计算了结构为n+ / p和n+ / p p+ 多晶硅薄膜太阳电池的晶粒尺寸和薄膜厚度对其Voc,Jsc和 η的影响。
5) poly-Si thin films
多晶硅薄膜
1.
This article introduced the method of fabricating poly-Si thin films by aluminum-induced crystallization(AIC)of amorphous silicon, and described the general process of fabricating poly-Si thin films.
多晶硅薄膜在微电子和能源科学领域有着广泛的应用。
2.
Under the help of SEM measurement,the morphologies of the Poly-Si thin films were analyzed basing on the growing theory of poly-Si thin films,The result shows that columnar grains could be formed in thick films,and the thicker the films are,the larger the columnar grains grow.
在多晶硅薄膜(Poly-S i)生长理论的基础上,用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)系统,配合快速光热退火装置(RTP),在玻璃衬底和石英衬底上制备了柱状结构的多晶硅薄膜。
3.
In this thesis, the fabrication of high quality poly-Si thin films is investigated.
随着第三代太阳能电池——薄膜太阳能电池的深入研究,要提高多晶硅薄膜太阳能电池的光伏转换效率,制备高质量的多晶硅薄膜是从本质上解决问题的一个途径。
6) polycrystalline silicon films
多晶硅薄膜
1.
The light-stability of polycrystalline silicon films deposited at low temperatures from SiCl_4/H_2 mixture;
用SiCl_4/H_2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究
2.
High quality polycrystalline silicon films were directly fabricated from SiCl 4_H 2 mixture gases by plasma chemical vapor deposition technique with deposition rate and crystalline fraction of 3.
以SiCl4 和H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积技术 ,以 3 5 s的速率生长出了晶化度为 75 %的优质多晶硅薄膜 。
3.
High-quality polycrystalline silicon films composed of large and uniform columnar grains with a moderate lateral grain size of ～1μm,vertical grain size of ～ 20μm and crystalline fraction(fc) over 95 % have been fabricated on glass substrates with metal Cu-induced layer by hot-wire chemical vapor deposition(HWCVD).
采用热丝化学气相沉积法(HWCVD),在金属铜诱导层上成功制备出横向晶粒尺寸在1μm左右、垂直晶粒尺寸达20μm的柱状多晶硅薄膜,其晶化率在95%以上。
补充资料：硅多晶的西门子法制备
硅多晶的西门子法制备
polycrystalline silicon manufacture by Siemens process
gulduoJ一ng de slmenzlfa zh一be-硅多晶的西门子法制备(polyerystalline 5111-eon manufaeture by Siemens proeess)以三氯氢硅为介质的硅材料超提纯技术，因前联邦德国西门子公司获此专利而得名。是硅多晶生产的最主要方法。该方法的反应原理为经提纯后的SIHC13和超纯氢在反应炉内发生还原反应，使硅在硅芯发热体上沉积从而生长成棒状多晶硅。主要化学反应如下: siHe一3+HZ全些些坚斗51+3Hel 该法的缺点是SIHC13在还原过程中只有约3。%转化为多晶硅，其余多变成SICI、，另外，尾气中的氢气与氯化氢也应利用，因此发展成改良西门子法，将siCll通过氢化变成siHCI。，把尾气经干法回收，将HCI与氢分离，使二者得到利用(图1) 工艺主要包括以下工序。 (1)SIHC13合成。在碳钢制作的合成炉中，0.175一。.116mm(80~12。目)的金属硅粉与无水HCI在沸腾床发生反应生成SIHC13。主要化学反应为: 51+3Hcl一三互)匕二塑三siHcl3十HZ 合成温度过高，特别是HCI中含水量过高，对Si-HCI:产率产生极不利的影响。ha 图1传统的西门子工艺流程示意图 (2)提纯。SIHC13合成产物是一个多组分的混合物，且含有大量杂质。为制备半导体级硅单晶，需对合成产物提纯。首先进行粗馏(碳钢或不锈钢筛板塔，塔板总数大约100块)，除去SICI、和部分杂质，然后进行精馏(多用不锈钢筛板塔，塔板总数约100余块)，以进一步除去其中杂质。为了弥补精馏的不足，有些在精馏前或在精馏过程中还增加吸附或加入络合剂。、巍6 尾气/! 1 1111~~卜仁~v 丫”跳一siHCL’‘H’ 图2西门子式水冷不锈钢多晶还原炉结构示意图 1一硅桥(横梁);2细长棒;3一多晶硅棒;沈水冷不锈钢 钟罩;5一石墨支座;6一绝缘块 (3)还原。经提纯后的SIHCI:与超纯氢在西门子式水冷不锈钢炉内发生还原反应，生长出棒状硅多晶。还原启动采取高压击穿和通过光或电辅助加热以降低击穿电压的两种模式。影响还原转化效率有SIHCI:与氢配比、温度、压力、气体流量和硅芯加热体数量等因素。还原炉结构见图2。(4)尾气处理。尾气经冷凝一压缩~冷冻后，冷凝液用分馏塔分离，气体经活性炭等吸附分离，从而使H:、HCI、SICI、、SIHC13、SIHZC12等分别全部回收，返回生产流程，形成物料闭路循环。 (5)氢化。为了充分利用尾气中的SICI、副产物，发展了SICI、加氢工艺。将金属硅粉与铜触媒加入沸腾炉内，在1.SMPa左右的压力下，siC14与氢反应转化成SIHC13。该工艺在国内称做改良西门子法。化学反应如下: 3SICI、十51+ZH:~4SIHC13转化成的siHC13提纯后返回多晶硅生产工艺。 特点与应用西门子法工艺简单，适合大规模生产。目前，硅多晶直径可做到150一Zoomm、长lm以上，纯度以含硼计达到。.lppba以上。应用于直拉和悬浮区熔法生长硅单晶。 (王顺友)
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参考词条