1) Double barrier electron tunneling
电子共振隧穿
3) resonant tunneling current
共振隧穿电流
1.
The dependence of resonant tunneling current density on the applied bias voltage and strain is studied in theory.
本文通过对共振隧穿电流密度随外加偏压及应力而变的依赖关系的理论研究,模拟了Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnS共振隧穿电流密度随外加偏压及应力的变化曲线。
4) resonant tunneling
共振隧穿
1.
Magnetoresonant tunneling of electrons in asymmetric multibarrier heterostructures;
非对称多势垒异质结构中电子的磁共振隧穿
2.
Effects of the structure on resonant tunneling in multi-quantum-well systems;
多量子阱系统结构变化对共振隧穿的影响
3.
Spin polarized current transport and charge polarization effect in ferromagnetic GaMnN resonant tunneling diode
GaMnN铁磁共振隧穿二极管自旋电流输运以及极化效应的影响
5) resonance tunneling
共振隧穿
1.
With the knowledge of resonance tunneling mechanism in zero average index PC, we find such PC must contain negative refractive metamaterials and its structure parameters should satisfy some special conditions.
利用光子晶体的共振隧穿效应,并结合由负折射材料引起的零平均折射率带隙,设计出一种新型的角度滤波器,使得对于某一频率范围内的入射电磁波仅在特定入射角度的波能够全透,而其他角度的波不能透过。
6) resonant-tunneling
隧穿共振
1.
The property of the luminescent spectrum is explained on the basis of the theory of the electron resonant-tunneling.
根据量子力学隧穿共振效应解释了该结构发光光谱的特点 ,利用俄歇谱仪和原子力显微镜分析了器件失效的原因 ,对进一步优化双绝缘层MIMIS器件的结构和工艺条件具有一定的指导意义。
补充资料：电子自旋共振(见电子回旋共振)
电子自旋共振(见电子回旋共振)
electron spin resonance
电子自旋共振eleetron spin resonanee见电子回旋共振。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条