1) RTD
共振隧穿器件
1.
Device Structure and Fabrication of RTD:Lecture of RTD(6);
RTD的器件结构及制造工艺——共振隧穿器件讲座(6)
2) resonant tunneling devices
共振隧穿器件
1.
The features,classification, operating principle, design on material and devices, fabrication processing, parameters and measurement of resonant tunneling devices were introduced.
通过对共振隧穿器件的特点、分类、工作原理、电流成分、器件参数等的介绍,为初学人员或非专业爱好人员提供一个对共振隧穿器件全面的、概括性的认识。
3) resonant tunneling
共振隧穿
1.
Magnetoresonant tunneling of electrons in asymmetric multibarrier heterostructures;
非对称多势垒异质结构中电子的磁共振隧穿
2.
Effects of the structure on resonant tunneling in multi-quantum-well systems;
多量子阱系统结构变化对共振隧穿的影响
3.
Spin polarized current transport and charge polarization effect in ferromagnetic GaMnN resonant tunneling diode
GaMnN铁磁共振隧穿二极管自旋电流输运以及极化效应的影响
4) resonance tunneling
共振隧穿
1.
With the knowledge of resonance tunneling mechanism in zero average index PC, we find such PC must contain negative refractive metamaterials and its structure parameters should satisfy some special conditions.
利用光子晶体的共振隧穿效应,并结合由负折射材料引起的零平均折射率带隙,设计出一种新型的角度滤波器,使得对于某一频率范围内的入射电磁波仅在特定入射角度的波能够全透,而其他角度的波不能透过。
5) resonant-tunneling
隧穿共振
1.
The property of the luminescent spectrum is explained on the basis of the theory of the electron resonant-tunneling.
根据量子力学隧穿共振效应解释了该结构发光光谱的特点 ,利用俄歇谱仪和原子力显微镜分析了器件失效的原因 ,对进一步优化双绝缘层MIMIS器件的结构和工艺条件具有一定的指导意义。
6) resonant tunneling diodes
谐振隧穿器件
1.
The characteristics of resonant tunneling diodes, signal electron devices and electron wave-guidetransistors are introduced.
从信息社会的发展分析提出了量子器件及量子信息技术产生和发展的必然性,介绍了谐振隧穿器件、单电子器件、电子波导晶体管等纳米电子器件及其特点,对量子激光器和量子信息技术及其性能作了简要介绍,并给出了应用前景。
补充资料：隧穿效应
分子式：
CAS号：
性质：见隧道效应。
CAS号：
性质：见隧道效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条