1) resonant tunneling transistor
共振隧穿晶体管
1.
A Schottky gate resonant tunneling transistor(RTT) is fabricated.
已研制成了肖特基栅共振隧穿晶体管,在双势垒结构上蒸发铂金形成栅。
2) RTT
共振隧穿晶体管
1.
An Inverter Unified Model of RTT;
共振隧穿晶体管的反相器统一模型
2.
A GaAs-based resonant tunneling transistor with a gate structure(GRTT) has been designed and fabricated successfully for the first time in mainland China.
在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT)。
3) resonant tunneling bipolar transistor
共振隧穿双极晶体管
1.
The resonant tunneling bipolar transistor is made b.
双势垒结构与通常的双极晶体管结合可以做成共振隧穿双极晶体管 ,它们可以用来做成多态记忆器和模数转换器等器件 。
4) resonant tunneling transistor(RTT)
谐振隧穿晶体管
5) RTD-HBT
共振隧穿二极管-异质结晶体管
1.
RTD and HBT are devices with advantages of high frequency and high speed,RTD-HBT ring oscillator has a great potential for future application.
RTD与HBT是高频高速器件,共振隧穿二极管-异质结晶体管(RTD-HBT)环形振荡器有很好的应用前景。
6) resonant tunneling diode
共振隧穿二极管
1.
Effect of polarization on current characteristics of AlN/GaN resonant tunneling diode
极化效应对AlN/GaN共振隧穿二极管电流特性的影响
2.
The relaxation oscillation characteristics of a resonant tunneling diode (RTD) with applied pressure are reported.
报道了共振隧穿二极管(RTD)在压力下的弛豫振荡特性。
3.
A new type of planar resonant tunneling diode(RTD) was fabricated by ion implantation.
采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管(RTD),通过离子注入将器件之间进行隔离,避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀所带来的一些缺点,并且表现出良好的I-V特性,峰谷电流比为3。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条