1) 157um optical lithography
157nm光学光刻
2) 157nm lithography
157nm紫外光刻技术
3) optical lithography
光学光刻
1.
Off-axis illumination for optical lithography;
光学光刻中的离轴照明技术
2.
It includes The new ntase-shift mask and combined simulation for the optical prox-imity effects of projection optical lithography and mask processing.
介绍了国内研究光学光刻波前工程的一些成果,如新型移相掩模、投影光刻的邻近效应和掩模加工的邻近效应的组合模拟等。
4) photolithography
[英][,fəutəli'θɔgrəfi] [美][,fotolɪ'θɑgrəfɪ]
光学光刻
1.
Photolithography Pushing Forward to Nano-Fabrication;
光学光刻技术向纳米制造挺进
2.
Trend of Photolithography Technology and Its Equipment in 21st Century;
本文主要阐述了光刻技术的发展极限及 193nm、 157nm光学光刻技术和电子束投影光刻 (SCALPEL)、X -射线光刻 (XRL)离子投影光刻 (IPL)等技术的发展趋势。
3.
Fractional Fourier Domain Filtering Applied to Improve Image Quality in Photolithography;
随着微电子和信息技术的飞速发展，高密度、高速度、超高频微电子器件不断推陈出新，促使微细加工技术不断向着超精细领域发展，对传统光学光刻技术的分辨本领提出更高的要求。
5) 157 nm excimer laser
157nm准分子激光
6) nm optical lithography
193nm光学光刻
补充资料：光刻
? ±谜障喔粗朴牖Ц聪嘟岷系募际酰诠ぜ砻嬷迫【堋⑽⑾负透丛颖〔阃夹蔚?化学加工方法。光刻原理虽然在19世纪初就为人们所知，但长期以来由于缺乏优良的光致抗蚀剂而未得到应用。直到20世纪50年代，美国制成高分辨率和优异抗蚀性能的柯达光致抗蚀剂(KPR)之后,光刻技术才迅速发展起来，并开始用在半导体工业方面。光刻是制造高级半导体器件和大规模集成电路的关键工艺之一，并已用于刻划光栅、线纹尺和度盘等的精密线纹。
光刻的基本原理是：利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。光刻半导体晶片二氧化硅的主要步骤（见图）是：①涂布光致抗蚀剂；②套准掩模板并曝光：③用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层；④用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层；⑤去除已感光的光致抗蚀剂层。
光致抗蚀剂是一种对光敏感的高分子溶液，种类很多，根据光化学反应的特点一般可分为正性和负性两大类。凡用显影液能把感光的部分溶解去除的称为正性光致抗蚀剂；用显影液能把未感光的部分溶解去除的称为负性光致抗蚀剂。
光刻的精度很高，可达微米数量级，为使蚀刻线条清晰、边缘陡直、分辨率小于1微米的超微细图形,可采用远紫外曝光、X射线曝光、电子束扫描曝光,以及等离子体干法蚀刻等新技术。
参考书目
李家植编：《半导体化学原理》，科学出版社，北京，1980。
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参考词条