1) optical chemical etching
光化学蚀刻
1.
This article studies the process used optical chemical etching and electrochemical polishing synthetically,discusses the influence of the factor in the process and the application range of this process.
研究了光化学蚀刻与电化学抛光相结合的加工工艺 ,讨论了加工过程中各种因素对加工的影响及加工工艺的适用场合。
2) chemical polish etching
化学抛光刻蚀
3) Silicon photo-electrochemical etching
硅光电化学刻蚀
5) photochemical etching
光化蚀刻
1.
With the continuousgrowth of electronic technology, photochemical etching tech-nology has expanded into many new application fields and aproduction scale is formed.
介绍了光化蚀刻的由来和传统工艺流程中五种掩膜的制作方法及四种现代的光化蚀刻法流程及其应用范围。
6) resistless photochemical etching
无抗蚀膜光化学蚀刻
1.
A new method of resistless photochemical etching for silicon wafer is developed, which is using hydrogen peroxide (H 2O 2) and hydrogen fluoride (HF) as activated species, ArF ultraviolet laser as a photon source.
研究了一种在硅片上进行无抗蚀膜光化学蚀刻的新方法 ,使用过氧化氢 (H2 O2 )和氟酸 (HF)作为光化学媒质 ,使用ArF紫外激光作为光源 ,无需事先加工抗蚀膜 ,可直接在硅表面进行蚀刻。
补充资料：暗光化学
分子式：
CAS号：
性质： 激发态反应并非由于吸收电磁辐射所致，而由化学作用或酶促作用产生的激发态发生的光化学过程。此术语已建议不再使用。
CAS号：
性质： 激发态反应并非由于吸收电磁辐射所致，而由化学作用或酶促作用产生的激发态发生的光化学过程。此术语已建议不再使用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条