1) CdS-CdSe polycrystallite film
CdS-CdSe多晶薄膜
2) CdS polycrystalline thin film
CdS多晶薄膜
1.
A chemical bath deposition (CBD) method was used to prepare CdS polycrystalline thin films on the substrates of three different kinds(glass, ITO glass, SnO_2 glass).
采用化学池沉积(CBD)法,在3种不同衬底(玻片、ITO玻片、SnO2玻片)上沉积制备CdS多晶薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射线衍射(XRD)和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析,算出了CdS多晶薄膜的能隙宽度E0和电导激活能Ea,研究了CBD法中CdS多晶薄膜的生长沉积机制以及不同衬底对沉积效果的影响。
3) polycrystalline CdS thin films
CdS多晶薄膜
1.
Preparation and properties of polycrystalline CdS thin films for solar cells
CdS多晶薄膜的制备及性质研究
4) Nanocrystalline CdSe electrodes
CdSe纳晶薄膜电极
5) CdS nanocrystalline films
CdS纳米晶薄膜
1.
CdS nanocrystalline films were grown on glass substrates by means of chemical bath deposition technique with CdCl2 as the Cd ions and(NH2)2CS as the S ions source.
紫外可见光吸收谱和荧光光谱的结果表明,在样品的制备过程中,通过改变反应条件如化学试剂的浓度、加热温度、加热时间等来控制薄膜中颗粒的尺寸大小,随着反应温度的逐渐降低或反应时间的减少等可以使得到的CdS纳米晶薄膜中晶粒尺寸逐渐减小,带隙增加;镉离子浓度越小或氨水浓度越大,所得CdS纳米晶薄膜带隙越大。
6) CdSe film
CdSe薄膜
1.
Preparation of CdSe film with chemical bath deposition;
化学水浴沉积法制备CdSe薄膜
补充资料：多晶莫来石晶须(纤维)
分子式：
CAS号：
性质：莫来石相为主晶相的多晶纤维。化学成分为Al2O3 72％～77％，SiO222％～17％，B2O3 3％～5％，P2O51.5％～3.0％。纤维直径2～7μm，纤维长度20～125μm。使用温度1350℃。多采用溶胶-凝胶法制造。主要用作补强填料，也可作为轻质、隔热保温材料使用。
CAS号：
性质：莫来石相为主晶相的多晶纤维。化学成分为Al2O3 72％～77％，SiO222％～17％，B2O3 3％～5％，P2O51.5％～3.0％。纤维直径2～7μm，纤维长度20～125μm。使用温度1350℃。多采用溶胶-凝胶法制造。主要用作补强填料，也可作为轻质、隔热保温材料使用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条