1) quadratic ionic massspectrum System
二次离子质谱系统
2) secondary ion mass spectrometry
二次离子质谱
1.
The dopant profiles in silicon sample implanted by BF 2 are measured using secondary ion mass spectrometry (SIMS) and spreading resistance probe (SRP) techniques.
利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 。
3) Secondary Ion Mass Spectroscopy
二次离子质谱(SIMS)
4) secondary ion mass spectroscopy
二次离子质谱
1.
Investigation of the poly-Si/SiO2interface using secondary ion mass spectroscopy;
多晶硅/氧化硅界面的二次离子质谱分析
2.
5 bulk metallic glass under high pressure is investigated in supercooled liquid region by ion implantation combined with secondary ion mass spectroscopy.
通过离子注入结合二次离子质谱分析方法 ,研究了高压下Co在Zr4 6 。
5) Secondary Ion Mass Spectrometry(SIMS)
二次离子质谱
1.
But by Secondary Ion Mass Spectrometry(SIMS) it can be measured, although the emission mechanics of the secondary ion is complex and the matrix effect is strong.
重掺砷硅单晶中杂质硼含量的控制是十分关键的,因无法用常规的红外光谱法测试,于是转而使用二次离子质谱法来测试。
2.
In the paper the structure and principle of the secondary ion mass spectrometry(SIMS) are reported,and its typical applications in the HgCdTe material and devices processing,especially in the measurement of the junction depth and the quantity analysis of trace impurity are introduced.
文章介绍了二次离子质谱仪的结构及其基本工作原理,并通过对典型应用的分析,介绍了二次离子质谱分析技术在高灵敏度碲镉汞红外焦平面探测器材料和器件制备工艺中的作用,特别是在结探监测和微量杂质监控方面所发挥的重要作用。
6) SIMS
二次离子质谱
1.
Qualitative Analysis Method of Inorganic Elements on Coal Surface by SIMS;
煤表面二次离子质谱分析的无机定性分析方法
2.
A Quantitative SIMS Depth Profiling Method Calibrated by a Modified ISS Technique;
一种利用变通的离子散射谱测量进行浓度定标的二次离子质谱深度剖析定量方法
3.
Application of SIMS in GaAs process;
二次离子质谱技术在砷化镓工艺中的应用
补充资料：二次离子质谱分析
二次离子质谱分析
secondary ion mass spectrometry
二次离子质谱分析seeondaryi。n massspectrometry用质谱分析研究一次离子束轰击固体表面时溅射出来的二次离子，从而获得固体表面组成信息的方法。它能以很高的灵敏度(ppm至ppb级)对固体材料进行表面微区分析、深度分析、块体分析及图象分析，其范围包括从氢到铀的各种元素和同位素，目前深度分辨率已达30埃，成象的横向分辨率可达300埃。 二次离子发射机制是二次离子质谱的物理基础，目前有以下几种机理:①局部热力学平衡机制(LTE)。C.A.安德森和J.R.欣索恩认为，当一次离子轰击固体表面时，溅射区形成一层密集等离子体，其中的离子、电子、原子及分子之间处于局部热平衡状态，它们的平衡浓度可用萨哈方程来预言。②动力学模型。P.乔伊斯和R.卡斯坦等认为，固体表面发出的粒子呈中性准稳态，在表面附近这些粒子发生再激发而形成二次离子，并伴随俄歇电子发射。③键断模型。当一次离子束轰击化合物表面时，化合键断裂而形成原子(或分子)离子。④量子力学模型。J.M.施罗尔假设溅射原子以中性非激发状态离开表面，然后由于原子的价电子发生量子力学跃迁，过渡到金属导带顶层而引起电离。 二次离子质谱仪器可分为两类:①能显示离子图象的离子质谱仪，如离子探针;②不显象，有大束二次离子质谱仪。(陈廉)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条