1) SIMS
二次离子质谱仪
1.
Al Ga In As/ In P strained and strain- compensated quantum well have grown by L P- MOCVD and the characters of the materials have been measured by DCD、Photoluminescence、SIMS.
用低压金属有机化学气相沉积 (L P- MOCVD)设备生长了 Al Ga In As压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试 ,通过二次离子质谱仪 (SIMS)的测试讨论了材料中氧含量对材料特性的影响 ,通过采用高纯原料和纯化载气 ,生长出了较高质量的 Al Ga In As应变量子阱材料 :氧含量小 ,光荧光强度大 (2 5 m W,PL=0 。
2) secondary ion mass spectrometer
次级离子质谱仪
3) secondary ion spectrometer
二次离子谱仪
4) secondary ion mass spectrometry
二次离子质谱
1.
The dopant profiles in silicon sample implanted by BF 2 are measured using secondary ion mass spectrometry (SIMS) and spreading resistance probe (SRP) techniques.
利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 。
5) Secondary Ion Mass Spectroscopy
二次离子质谱(SIMS)
6) secondary ion mass spectroscopy
二次离子质谱
1.
Investigation of the poly-Si/SiO2interface using secondary ion mass spectroscopy;
多晶硅/氧化硅界面的二次离子质谱分析
2.
5 bulk metallic glass under high pressure is investigated in supercooled liquid region by ion implantation combined with secondary ion mass spectroscopy.
通过离子注入结合二次离子质谱分析方法 ,研究了高压下Co在Zr4 6 。
补充资料：二次离子质谱仪
分子式：
CAS号：
性质：SIMS又称离子探针(ion probe)。利用一次离子束作为探针轰击试样，使试样物质表面产生二次离子，通过分析此二次离子以达到对试样分析的仪器。二次离子质谱仪可进行表面和界面的薄层分析，了解试样的三维元素组成。仪器一般包括四部分(1)产生、加速和聚焦一次离子束的离子枪；(2)放置、移动样品，产生并加速二次离子的试样室；(3)使二次离子按质荷比分离的质量分析器；(4)检测显示系统。
CAS号：
性质：SIMS又称离子探针(ion probe)。利用一次离子束作为探针轰击试样，使试样物质表面产生二次离子，通过分析此二次离子以达到对试样分析的仪器。二次离子质谱仪可进行表面和界面的薄层分析，了解试样的三维元素组成。仪器一般包括四部分(1)产生、加速和聚焦一次离子束的离子枪；(2)放置、移动样品，产生并加速二次离子的试样室；(3)使二次离子按质荷比分离的质量分析器；(4)检测显示系统。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条