1) inversion layer
反型层
1.
Based on the approximation of triangular potential field,the analytical formula for thewave function in a MOS inversion layer is presented,and the electron distribution by the quantum ef-fect is calculated.
根据三角形势场近似，给出了ＭＯＳ反型层波函数的解析表达式，计算了量子化效应作用下反型层电子的空间分布，并与经典理论进行了比较。
2.
On the basis of Chu s experimental model, the experimental data were fitted and the subband structure in the n-type inversion layer was obtained.
２４）ＭＩＳ器件，用自制的高精度差分电容谱仪测量了器件的Ｃ—Ｖ谱，根据褚君浩等提出的实验模型拟合测得的电容谱，获得了反型层电子子能带结构，与本文的修正变分自洽方法计算结果基本一致。
2) Inversion layers model
反型层模型
3) inversion layer charge
反型层电荷
1.
It depends on the inversion layer charge for MIS/IL(Metal-Insulator-Semiconductor/Induced layer).
在一定输出电流及光照条件下,数值求解半导体器件基本方程,获得输出电压和反型层电荷面密度等参数。
4) inversion layer capacitance
反型层电容
1.
First,inversion layer capacitance and depletion layer capacitance were defined,analyzed and calculated,respectively.
分别对反型层电容和耗尽层电容进行定义、分析和计算,给出了MOSFETs栅电容解析表达式,并与数值模拟结果进行了比较。
5) inversion layer resistance
反型层电阻
6) surface inversion layer
表面反型层
补充资料：反型层
分子式：
CAS号：
性质：当过分地从半导体中取出多数载流子、而多数载流子能带必须严重弯曲才能供给全部所需的载流子时，形成反型层。这时载流子不得不取自少数载流子能带。“反型”一词的意思是由于发生上述过程，半导体表面发生转型，如n型半导体表面实际上已转变为p型，或p型半导体表面实际上已转变为n型。
CAS号：
性质：当过分地从半导体中取出多数载流子、而多数载流子能带必须严重弯曲才能供给全部所需的载流子时，形成反型层。这时载流子不得不取自少数载流子能带。“反型”一词的意思是由于发生上述过程，半导体表面发生转型，如n型半导体表面实际上已转变为p型，或p型半导体表面实际上已转变为n型。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条