1) inversion layer charge model
反型层电荷模型
1.
A new inversion layer charge model for SiC MOSFET is established by introducing the effect of excited states of impurities.
引入杂质激发态因素,建立新的SiC MOSFET反型层电荷模型。
2) inversion layer charge
反型层电荷
1.
It depends on the inversion layer charge for MIS/IL(Metal-Insulator-Semiconductor/Induced layer).
在一定输出电流及光照条件下,数值求解半导体器件基本方程,获得输出电压和反型层电荷面密度等参数。
3) charge sheet model
薄层电荷模型
5) Inversion layers model
反型层模型
6) point charge model
点电荷模型
1.
By using the point charge model in K 3C 60 crystal,we have computed the cohesive energy,crystal lattice constant at equilibrium and bulk modulus.
利用点电荷模型，计算了Ｋ３Ｃ６０晶体的结合能，得出晶格常数为ａ＝１４。
2.
This paper, in terms of the structure of ErGaG, calculates the crystal fields by point charge model, and gets the splitting levels induced by the crystal field.
根据磁光材料ErGaG(Er3Ga5O12)石榴石的结构,利用点电荷模型计算分析了ErGaG的晶场系数,得出了在晶场作用下基态ErGaG的能级的劈裂,为进一步研究ErGaG的磁性和磁光特性的物理机制提供了一定的理论基础。
补充资料：反型层
分子式：
CAS号：
性质：当过分地从半导体中取出多数载流子、而多数载流子能带必须严重弯曲才能供给全部所需的载流子时，形成反型层。这时载流子不得不取自少数载流子能带。“反型”一词的意思是由于发生上述过程，半导体表面发生转型，如n型半导体表面实际上已转变为p型，或p型半导体表面实际上已转变为n型。
CAS号：
性质：当过分地从半导体中取出多数载流子、而多数载流子能带必须严重弯曲才能供给全部所需的载流子时，形成反型层。这时载流子不得不取自少数载流子能带。“反型”一词的意思是由于发生上述过程，半导体表面发生转型，如n型半导体表面实际上已转变为p型，或p型半导体表面实际上已转变为n型。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条