1) Inversion charge density
反型层载流子密度
2) carrier density
载流子密度
1.
The linear relation of gain on carrier density in the conventional rate equation is replaced by the logarithmic relation for quantum well lasers in this paper.
首次在理论上用量子阱激光器增益与载流子密度的对数关系替代了原有速率方程中的线性关系，得到了改进了的速率方程，分析了稳态和调制特性。
2.
Corrosion of metals is a kind of irreversible phenomena of consumption under action of aggressive medium in use of metals.
不锈钢、碳钢、黄铜裸电极在电解质溶液中氧化膜的载流子密度均随浸泡时间的延长而逐渐增大。
3) charge-carrier density gradient
载流子密度梯度
4) inversion density
反转载流密度
5) threshold carrier density
阈值载流子密度
1.
Further analysis shows that it is caused by the enhancement of the threshold current density and threshold carrier density in terms of optical-gain spe.
进一步分析认为,这是因为条宽变窄导致器件阈值电流密度、阈值载流子密度变大造成的。
6) sheet carrier density
载流子面密度
1.
Comparison of measuring methods of sheet carrier density in AlGaN/GaN heterostructures;
AlGaN/GaN异质结载流子面密度测量的比较与分析
补充资料：反型层
分子式：
CAS号：
性质：当过分地从半导体中取出多数载流子、而多数载流子能带必须严重弯曲才能供给全部所需的载流子时，形成反型层。这时载流子不得不取自少数载流子能带。“反型”一词的意思是由于发生上述过程，半导体表面发生转型，如n型半导体表面实际上已转变为p型，或p型半导体表面实际上已转变为n型。
CAS号：
性质：当过分地从半导体中取出多数载流子、而多数载流子能带必须严重弯曲才能供给全部所需的载流子时，形成反型层。这时载流子不得不取自少数载流子能带。“反型”一词的意思是由于发生上述过程，半导体表面发生转型，如n型半导体表面实际上已转变为p型，或p型半导体表面实际上已转变为n型。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条