1) CdS ZnS strained layer multiple quantum wells
CdS-ZnS应变多量子阱
2) ZnSe-ZnS multiple quantum well
Znse-ZnS多量子阱
3) strained multiple quantum wells
应变多量子阱
1.
To investigate the influence of dry etching on strained multiple quantum wells (SMQWs),we etch the cap layer of metalorganic chemical vapor phase deposition (MOCVD) grown InGaN/AlGaN SMQWs about 95 nm by inductively coupled plasma (ICP).
为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AIGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm。
4) crystalline damage
应变多量子阱
1.
Plasma etching ofⅢ-Ⅴsemiconductors and mechanism of crystalline damage;
采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面使量子阱表面变粗糙,使出射光逃逸几率增大;另一方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化则是发光效率提高的主要原因。
5) CdS-ZnS core-shell quantum dot
CdS-ZnS核-壳量子点
6) strained quantum well
应变量子阱
1.
Effect of Auger recombination on the threshold current of strained quantum well laser;
俄歇复合对应变量子阱激光器阂值电流的影响
2.
using gigh purity sources of - metals,We got the high quality Al Ga In As/ In P strained quantum well,with little oxide concentration,large intensity of PL (PL =0 .
用低压金属有机化学气相沉积 (L P- MOCVD)设备生长了 Al Ga In As压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试 ,通过二次离子质谱仪 (SIMS)的测试讨论了材料中氧含量对材料特性的影响 ,通过采用高纯原料和纯化载气 ,生长出了较高质量的 Al Ga In As应变量子阱材料 :氧含量小 ,光荧光强度大 (2 5 m W,PL=0 。
3.
7dB noise figure of SOA coupled with fiber directly in both ends under 130mA bias current shows that the noise figure is improved by strained quantum well structure.
研究了直接耦合混合应变量子阱 S O A 的噪声特性。
补充资料:多量子阱(见量子阱)
多量子阱(见量子阱)
multiple quantum well
多t子阱multiple quanturn well见量子阱。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条