补充资料：半导体界面

半导体界面
interface of semiconductor

　　随着各种表面能谱技术(如AES、PES、SIMS和RBS等)的广泛应用，5102/Si界面物理的研究工作又进入了一个新的阶段，从而开始了原子量级的微观研究工作。 半导体异质结界面由于外延技术(特别是分子束外延技术)的发展，使得可以在一种半导体材料上生长另一种半导体材料。这样形成的异质结在现代半导体器件，尤其是激光器及其他光电器件中，具有极其重要的应用。为了形成良好的异质结，要求两种半导体材料的晶格常数非常相近。GaAs/Ge就是很好的异质结材料。若两种材料的晶格常数失配较大，将会导致在界面处产生大量的失配位错或界面态。GaAs/Si异质结便是如此。异质结的特性与它的能带结构有很大的关系。由于两种材料通常具有不同的禁带宽度，在界面处会产生能带的失调。可是，具体的能带图如何决定，是异质结中一个很重要的物理问题。它关系到量子阱和超晶格中的阱的深度，对器件有重要的影响(见量子阱)。 (邢益荣)半导体界面interfaee of。emieonduCtor半导体材料与其他物质相接触的交界面。主要是指半导体与金属接触、半导体与绝缘介质膜(如5102等)接触以及两种不同的半导体材料接触而形成的异质结等。半导体界面在半导体器件工艺中占重要地位。 金属一半导体接触界面1938年，德国的W.肖特基(S chottky)最早提出关于金属一半导体接触形成势垒的概念。人们称这种势垒为肖特基势垒。如果金属一半导体的接触形成一个理想界面，根据肖特基一莫特模型，它所产生的肖特基势垒可表示为九=呱一xs式中九为肖特基势垒高度，叽是金属的功函数，xs是半导体的电子亲和力。当叽>xs时为欧姆接触，当Wm　　

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