1) metal-semiconductor transition
金属半导体相变
2) Metal-semiconductor phase transition
金属-半导体相变
3) semiconducting-to semimetallic transition
半导体-半金属相变
4) semiconductor-metal transition
半导体-金属转变
5) metal-to-semiconductor transition
金属-半导体转变
6) Metal-semiconductor interaction
金属-半导体相互作用
补充资料:半导体釉
分子式:
CAS号:
性质:电瓷表面具有半导体性质的玻璃态薄层的釉。一般是在白釉基础上加入适量过渡金属或变价元素氧化物形成的。通常分为氧化铁系、氧化钛系和他们的混合型以及氧化锡和硅化钼系等。其中以氧化铁系和氧化钛系的混合型使用最广,其化学组成(%质量)二氧化硅48~52,氧化铝8~11,氧化铁13~15,氧化钙1.0~1.5,氧化镁3.0~4.5,氧化钾和氧化钠4~6,氧化铬2~6,二氧化钛6~9,氧化钡约5。普通电瓷釉的表面电阻率为1010~l0l3Ω·cm,甚至更高。电瓷表面施半导体釉后可使表面电阻率降低,一般在106~108Ω·cm,可以改善电压分布和增加表面泄漏电流的发热效应,起到烘干污层效能,以防止污闪;提高电晕电压,防止无线电干扰以及延长绝缘子的清扫周期等。
CAS号:
性质:电瓷表面具有半导体性质的玻璃态薄层的釉。一般是在白釉基础上加入适量过渡金属或变价元素氧化物形成的。通常分为氧化铁系、氧化钛系和他们的混合型以及氧化锡和硅化钼系等。其中以氧化铁系和氧化钛系的混合型使用最广,其化学组成(%质量)二氧化硅48~52,氧化铝8~11,氧化铁13~15,氧化钙1.0~1.5,氧化镁3.0~4.5,氧化钾和氧化钠4~6,氧化铬2~6,二氧化钛6~9,氧化钡约5。普通电瓷釉的表面电阻率为1010~l0l3Ω·cm,甚至更高。电瓷表面施半导体釉后可使表面电阻率降低,一般在106~108Ω·cm,可以改善电压分布和增加表面泄漏电流的发热效应,起到烘干污层效能,以防止污闪;提高电晕电压,防止无线电干扰以及延长绝缘子的清扫周期等。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条