1) surface and interface of semiconductor
半导体表(界)面
3) semiconductor surface
半导体表面
1.
in this paper the behavior of polar semiconductor surface(or interface) polaron in elec-tric field is studied by the linear composed operator of electron mornentum and coordinate.
采用电子动量和坐标的线性组合算符方法对电场中的极性半导体表面(或界面)极化子行为进行了研究。
4) semiconductor/solution interface
半导体溶液界面
5) Metal-Semiconductor interfaces
金属半导体界面
6) metal-semiconductor interface
金属-半导体界面
补充资料:半导体界面
半导体界面
interface of semiconductor
随着各种表面能谱技术(如AES、PES、SIMS和RBS等)的广泛应用,5102/Si界面物理的研究工作又进入了一个新的阶段,从而开始了原子量级的微观研究工作。 半导体异质结界面由于外延技术(特别是分子束外延技术)的发展,使得可以在一种半导体材料上生长另一种半导体材料。这样形成的异质结在现代半导体器件,尤其是激光器及其他光电器件中,具有极其重要的应用。为了形成良好的异质结,要求两种半导体材料的晶格常数非常相近。GaAs/Ge就是很好的异质结材料。若两种材料的晶格常数失配较大,将会导致在界面处产生大量的失配位错或界面态。GaAs/Si异质结便是如此。异质结的特性与它的能带结构有很大的关系。由于两种材料通常具有不同的禁带宽度,在界面处会产生能带的失调。可是,具体的能带图如何决定,是异质结中一个很重要的物理问题。它关系到量子阱和超晶格中的阱的深度,对器件有重要的影响(见量子阱)。 (邢益荣)半导体界面interfaee of。emieonduCtor半导体材料与其他物质相接触的交界面。主要是指半导体与金属接触、半导体与绝缘介质膜(如5102等)接触以及两种不同的半导体材料接触而形成的异质结等。半导体界面在半导体器件工艺中占重要地位。 金属一半导体接触界面1938年,德国的W.肖特基(S chottky)最早提出关于金属一半导体接触形成势垒的概念。人们称这种势垒为肖特基势垒。如果金属一半导体的接触形成一个理想界面,根据肖特基一莫特模型,它所产生的肖特基势垒可表示为九=呱一xs式中九为肖特基势垒高度,叽是金属的功函数,xs是半导体的电子亲和力。当叽>xs时为欧姆接触,当Wm
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参考词条