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1)  metal-semiconductor
金属-半导体
2)  MSM
金属-半导体-金属
1.
A new type metal-semiconductor-metal(MSM) detector with recessed interdigital electrodes is proposed.
提出了一种新型具有掩埋电极的金属-半导体-金属(MSM)探测器原型器件结构,并用数值计算的方法研究了其激活层内电场的分布特性,讨论了掩埋电极深度对电场分布的影响,并与传统平面叉指电极结构进行比较,得出该结构对器件性能改善具有重要的作用。
3)  metal/semiconductor
金属/半导体
1.
One-dimensional metal/semiconductor heterojunction nanomaterials have been tremendously concerned because of their novel structures,unique electrical and optical properties,and central roles in fabricating electronic nanodevices.
一维金属/半导体异质结纳米材料因其新颖的结构、独特的光电特性和在纳电子领域应用的巨大优势和潜力而受到广泛的关注和重视。
4)  semiconductor-metal-semiconductor
半导体-金属-半导体
5)  SMS (semiconductor-metal-semiconductor)
半导体金属半导体
6)  metal/insulator/semiconductor/metal (MISM)
金属/绝缘体/半导体/金属
补充资料:金属-半导体接触(metal-semiconductorcontact)
金属-半导体接触(metal-semiconductorcontact)

在半导体片上淀积一层金属形成紧密的接触。硅器件和集成电路中大量采用的铝-硅接触就是典型的实例。金属-半导体接触中最重要的有两类典型接触:一类是金属与半导体的没有整流作用的接触,称为欧姆接触,这种接触与一个电阻等效;另一类是整流接触,具有类似于pn结的单向导电性。上述特性是由于金属-半导体接触时,两者的功函数不同,电子可以从金属流向半导体,或半导体流入金属,从而使半导体表面形成表面势垒(又称阻挡层)或反阻挡层所致。反阻挡层是很薄的高电导的区域,它对金属和半导体接触电阻影响很小。表面阻挡层存在使金属-半导体接触具有整流作用。在半导体表面处的禁带中存在着表面态,对应能级称为表面能级。表面能级对表面势垒有很大的影响。

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