1) Complex Submanifolds
复子流
1.
Overall Pinching Law of Complex Submanifolds in Complex Projective Spaces;
复射影空间中复子流形的整体Pinching定理
2) carrier recombination
载流子复合
1.
The root cause of data remanence of SRAM is determined which is the decrease of excess-carrier recombination rate and carrier diffusion velocity at low temperature.
确定了低温下非平衡载流子复合率及扩散速度的降低,是导致SRAM断电后数据残留的主要原因。
3) totally complex submanifold
全复子流形
1.
This paper consider totally complex submanifolds of quaternionic projective space.
本文讨论四元射影空间的全复子流形，证明了四元射影空间的正截面曲率紧致全复子流形一定是全测地的。
4) DC composite insulator
直流复合绝缘子
1.
The correction formula of un-uniform pollution flashover voltage of DC composite insulator is presented for the first time in the world and the correction coefficient of pollution flashover voltage is .
为了给超高压及特高压直流线路复合绝缘子设计应用提供依据,采用人工污秽试验方法研究了直流复合绝缘子不均匀污秽闪络特性以及憎水性条件下污闪电压的提高幅度,提出了直流复合绝缘子不均匀污秽闪络电压的修正系数公式,获得了修正系数。
5) charge carrier recombination zone
载流子复合区
6) carrier recovery time
载流子恢复时间
1.
We use the method of assist oontinual light to reduce carrier recovery time,increase the speed of cartier recovery and pick up the operation rate of SOA.
文中分析半导体光放大器(SOA)的载流子寿命及增益特性,并用外加连续光缩短载流子恢复时间,从而加快载流子恢复速度,提高 SOA 的工作速率。
补充资料：复子
1.见"复子明辟"。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条