1) carrier generation rate
载流子产生率<复>
2) carrier generation layer
载流子产生层<复>
3) carrier generation material
载流子产生(层)材料<复>
4) carrier generation
载流子产生
1.
A study of field-enhanced carrier generation in pulsed MOS capacitors is made.
本文研究了脉冲MOS电容器中的电场增强载流子产生。
5) Carrier recombination rate
载流子复合率
6) carrier generation material
载流子产生材料
补充资料：复电容率
复电容率
complex permittivity
f日曲。门厂。ngl山复电容率(complex permittivity)能同时反映电介质在交变电场中极化与损耗特性的物理量。由于介质损耗的存在，正弦交变电场作用时，通过介质的电流包含一个大的容性电流(其电流密度为j。￡E，。为电场角频率，。是介质电容率，E为电场强度)和一个小的阻性电流(其电流密度表示为。刃，。为等值电导率;E为电场强度)，总电流密度J可以表示为 一J一(ja，绍+减)对照理想介质的电容电流密度表示式 Jc~j‘绍定义复数 二.叮).即￡一E一3一一‘一厂 (口为复电容率，其实部即是介质的电容率，虚部砂可表示介质损耗的大小。虚部与实部之比砂/己正好是介质损耗角正切‘ga。复电容率的实部和虚部都是温度和频率的函数。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条