1) minority carrier recombination
光生载流子复合
2) carrier recombination
载流子复合
1.
The root cause of data remanence of SRAM is determined which is the decrease of excess-carrier recombination rate and carrier diffusion velocity at low temperature.
确定了低温下非平衡载流子复合率及扩散速度的降低,是导致SRAM断电后数据残留的主要原因。
3) photocarrier
光生载流子
1.
The experiment with the crystal Ce: KNSBN in which photocarrier diffusion dominates over drift in the formation of space charge field is investigated.
对光折变晶体的衍射效率进行了理论性的分析研究,并以晶体Ce:KNSBN为对象,其光生载流子的迁移机制在空间电荷场形成过程中以扩散为主,进行了实验上的探
4) carrier generation layer
载流子产生层<复>
5) carrier generation rate
载流子产生率<复>
6) charge carrier recombination zone
载流子复合区
补充资料：光生载流子
分子式：
CAS号：
性质：用光照射半导体时，若光子的能量等于或大于半导体的禁带宽度，则价带中的电子吸收光子后进入导带，产生电子-空穴对。这种类型的载流子称为光生载流子。此过程称为光注入。光子能量与频率有关，每种频率的光，都是由同等能量的光子组成的，每个光子的能量等于普朗克常数(h=6.56×10-27J·S)与光的频率v的乘积。当光照射到半导体时，由于不同材料电特性的不同以及光子能量的差异，会产生不同的光电效应。利用半导体材料的光电效应可制造光敏电阻器。
CAS号：
性质：用光照射半导体时，若光子的能量等于或大于半导体的禁带宽度，则价带中的电子吸收光子后进入导带，产生电子-空穴对。这种类型的载流子称为光生载流子。此过程称为光注入。光子能量与频率有关，每种频率的光，都是由同等能量的光子组成的，每个光子的能量等于普朗克常数(h=6.56×10-27J·S)与光的频率v的乘积。当光照射到半导体时，由于不同材料电特性的不同以及光子能量的差异，会产生不同的光电效应。利用半导体材料的光电效应可制造光敏电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条