1) Deuterated amorphous silicon
氘化非晶硅
2) hydrogenated amorphous silicon
氢化非晶硅
1.
We report the fabrication and operation of an optically addressed spatial light modulator(OASLM), consisting of a hydrogenated amorphous silicon (α-Si: H) pin photodiode as a photosensor and a twist nematic liquid crystal(TNLC) as the modulating material.
报道了用氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）ｐｉｎ二极管作光敏层，扭曲向列型液晶（ＴＮＬＣ）作电光调制层的光寻址空间光调制器（ＯＡＳＬＭ）的设计、制作与性能测试。
2.
The general structure and operation of the hydrogenated amorphous silicon/ ferroelectric liquid crystal spatial light modulators(FLCSLMs) were described in detail.
描述了氢化非晶硅／铁电液晶空间光调制器的结构和工作原理，并从器件的电学模型出发，着重讨论了整体器件对光敏层的特性要求，对ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜ｐ－ｉ－ｎ光敏层的制作和光电特性进行了研
3.
The hydrogenated amorphous silicon thin film (a-Si∶H) is an important light-sensitive material.
氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)是目前重要的光敏材料,而薄膜中的H含量及组态对薄膜的稳定性有着极其重要的影响。
3) a-Si_xC_(1-x):H
非晶碳化硅
1.
The structural modulability and chemical stability of hydrogenated amorphous Silicon Carbide (a-Si_xC_(1-x):H) films makes it suitable as a barrier layer for low K porous dielectric films.
非晶碳化硅薄膜的结构可调制性及化学稳定性使其成为Cu/超低k多孔介电薄膜结构的扩散阻挡层优异候选材料。
4) noncrystalline silica
非晶氧化硅
5) a-SiNx:H
氢化非晶氮化硅
补充资料：非晶硅太阳能电池材料
分子式：
CAS号：
性质： 原子排列短程有序而长程无序的硅材料。只有能隙中定域密度小于1016～1017eV的非晶硅才可作太阳能电池。具有较高的光吸收系数，但光电性有退化现象。用于制作毫瓦级、非阳光直接曝晒的场合，如手表、计算器等的电池。
CAS号：
性质： 原子排列短程有序而长程无序的硅材料。只有能隙中定域密度小于1016～1017eV的非晶硅才可作太阳能电池。具有较高的光吸收系数，但光电性有退化现象。用于制作毫瓦级、非阳光直接曝晒的场合，如手表、计算器等的电池。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条