1) Amorphous silicon
非晶硅
1.
Influence of annealing on phosphor-doped hydrogenated amorphous silicon as thermal sensitive material;
热敏材料掺磷非晶硅的退火行为
2.
On the deposition rate of amorphous silicon thin films;
非晶硅薄膜的沉积速率研究
3.
Characteristics of amorphous silicon solar cells as the energy system for space application;
非晶硅太阳电池作为空间能源的性能特点
2) a-Si
非晶硅
1.
Reviewed is the recent progress in thin film solar cells including polycrystalline Si(poly-Si),amorphous Si(a-Si),CdTe and CuIn1-xGaxSe2(CIGS).
介绍了薄膜太阳电池在光伏技术中的地位,概述了包括多晶硅、非晶硅、CdTe、CuIn1-xGaxSe2(CIGS)在内的薄膜太阳电池的发展状况。
2.
Large-area a-Si solar cell in a photoelectric element served as a clean and limitless energy source.
非晶硅（ａ－Ｓｉ）薄膜太阳能电池是取之不尽的洁净能源———太阳能的光电元（组）件。
3.
The cavity is made of amorphous silicon (a-Si) layer grown by electron-beam evaporation technique.
F P腔由电子束蒸发的非晶硅构成 。
3) a-Si:H
非晶硅
1.
Numerical simulation of i-layers thickness on a-Si:H p-i-n solar cell devices;
非晶硅太阳能电池i层厚度优化的数值模拟
2.
Effects of Amorphous Silicon-carbide Buffer Layer at p/i Interface on the Performances of a-Si:H Solar Cells;
p/i界面掺碳缓冲层沉积时间对非晶硅太阳电池性能的影响
3.
A-Si:H room temperature microbolometer;
非晶硅室温微测辐射热计的研制
4) Amorphous Si
非晶硅
1.
Photoluminescence of Amorphous Si Films Prepared by Atmospheric Pressure Chemi cal Vapor Deposition;
常压化学气相沉积方法制备非晶硅薄膜及其光致发光性能研究
2.
Progress in amorphous Si(a-Si)and polycrystalline Si(poly-Si)thin film for solar cells is summarized here from fabrication method,material,and structural viewpoints.
从制备方法、材料和结构的观点出发 ,概述非晶硅 (a -Si)和多晶硅 ( poly -Si)薄膜太阳能电池研究的进展。
5) amorphous silicon powders
非晶硅粉
6) amorphous silicon(a-Si)
非晶硅(a-Si)
补充资料：非晶硅
分子式：
CAS号：
性质：又称无定形硅。单质硅的一种形态。棕黑色或灰黑色的微晶体。硅不具有完整的金刚石晶胞，纯度不高。熔点、密度和硬度也明显低于晶体硅。化学性质比晶体硅活泼。可由活泼金属(如钠、钾等)在加热下还原四卤化硅，或用碳等还原剂还原二氧化硅制得。结构特征为短程有序而长程无序的α-硅。纯α-硅因缺陷密度高而无法使用。采用辉光放电气相沉积法就得含氢的非晶硅薄膜，氢在其中补偿悬挂链，并进行掺杂和制作pn结。非晶硅在太阳辐射峰附近的光吸收系数比晶体硅大一个数量级。禁带宽度1.7～1.8eV，而迁移率和少子寿命远比晶体硅低。现已工业应用，主要用于提炼纯硅，制造太阳电池、薄膜晶体管、复印鼓、光电传感器等。
CAS号：
性质：又称无定形硅。单质硅的一种形态。棕黑色或灰黑色的微晶体。硅不具有完整的金刚石晶胞，纯度不高。熔点、密度和硬度也明显低于晶体硅。化学性质比晶体硅活泼。可由活泼金属(如钠、钾等)在加热下还原四卤化硅，或用碳等还原剂还原二氧化硅制得。结构特征为短程有序而长程无序的α-硅。纯α-硅因缺陷密度高而无法使用。采用辉光放电气相沉积法就得含氢的非晶硅薄膜，氢在其中补偿悬挂链，并进行掺杂和制作pn结。非晶硅在太阳辐射峰附近的光吸收系数比晶体硅大一个数量级。禁带宽度1.7～1.8eV，而迁移率和少子寿命远比晶体硅低。现已工业应用，主要用于提炼纯硅，制造太阳电池、薄膜晶体管、复印鼓、光电传感器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条