1) ion beam epitaxy
离子束外延
1.
Electron spectroscopy is used tO analyze β-FeSi2, on Si substrate grown by low energy ion beam epitaxy (IBE) in all details, and to characterize its electron spectra.
用电子能谱分析方法对低能离子束外延（IBE）生长的β－FeSi2进行了详细研究，并对其电子能谱进行了表征。
2) Low energy ion beam epitaxy
低能离子束外延
3) P-MBE
等离子辅助分子束外延
4) plasma-assisted molecular beam epitaxy
等离体辅助分子束外延
5) MBE
[英][,em bi: 'i:] [美]['ɛm 'bi 'i]
分子束外延
1.
PHOTOLUMINESCENCE STUDY ON MBE LOW TEMPERATURE GROWN GaAs;
低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究
2.
Studies of MBE-Grown ZnS_xSe_(1-x) Films for Liquid-Crystal-Light-Valve;
分子束外延生长液晶光阀用ZnS_xSe_(1-x)薄膜的研究
3.
The Study of HgCdTe on Si by MBE;
Si基大面积碲镉汞分子束外延研究
6) molecular beam epitaxy
分子束外延
1.
Structure and properties of InGaP/GaAs epilayers grown by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source;
分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能
2.
Photoluminescence study of (GaAs_(1-x)Sb_x In_yGa_(1-y)As)GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy;
分子束外延生长的(GaAs_(1-x)Sb_x In_yGa_(1-y)As)GaAs量子阱光致发光谱研究
3.
Study on ultrahigh carbon -doped p -t ype InGaAs grown by gas source molecular beam epitaxy;
气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究
补充资料：离子束外延
离子束外延
ion beam ePitax3·
离子束外延ion beam epitax，·用低能离子束在真空环境中淀积薄膜的方法，称为离子束淀积，简称IBD。如果这种方法用在单晶衬底上外延生长单晶薄膜时.便称为离子束外延。这是一项自20世纪60年代末发展起来的薄膜淀积新技术。由于它将一定能量的离子引入薄膜生长过程，从而能在更大的范围内控制薄膜的性能。 工作原理和特.汽低能离子束薄膜淀积装置由离子束系统和真空淀积室两部分组成。工作时被淀积的材料质点在离子源中形成带一定电荷的离子，这些离子被高电压自离子源中引出形成束流。离子束经磁分析器进行质量分离后达到同位素纯度，接着经过二次聚焦及偏转而进入真空淀积室，在其中离子束再经过减速透镜将能量降低到给定的低能值而最后到达衬底表面。这些离子在与衬底表面相互作用的过程中失去电荷和动能，最后在衬底表面淀积成薄膜 离子束淀积与通常的薄膜淀积技术如分子束外延、化学气相沉积等不同，被淀积的材料质点是以带有一定能量的离子，而非中性原子或分子的形式淀积到衬底上。根据不同的薄膜淀积条件到达衬底表面的离子能量一般为10一100() eV，比通常方法中材料质点的热动能‘一般低于leV)高得多。这些离子对衬底及生长中薄膜表面的轰击，对薄膜的生长过程会产生很大影响。例如，离子轰击引起的吸附一于衬底表面的杂质原子的脱附、淀积于衬底表面的原子在表面上运动的迁移率的增加，以及产生表面缺陷导致晶核密度的增加等，对淀积薄膜的晶体生长都会起促进作用。因而，①离子束外延可以在比通常方法中所需温度更低的情次下实现超薄层外延生长;②离子携带的能量以及离子本身的化学活性有利于合成一些通常接近热平衡的条件下难以合成的高温化合物或亚稳态薄膜材料;③离子束外延装置具有质量分离的功能，多种材料的离子都能以同位素的纯度被分离出来，因而适用的原材料的范围很广。 应用离子束外延目前尚处于实验室研究阶段各项应用研究中，超薄层半导体外延薄膜及多层结构的低温生长是当前离一子束外延应用研究的一个重要方面。目前已能在4()0℃的低温一下用能量为30一40eV的74Ge离子在Ge(100)和GaAs(100)衬底上，以及用30 eV的“051离子在Si(10山衬底上生长出高质量的外延层。甚至在温度低到350℃的条件下，用20 eV的“051离子在Si(100)衬底_L也生长出了高质量的外延层。 除了单元素材料的外延生长外.可利用双离子束系统或双离子顺序束系统合成二元化合物外延薄膜。例如，可用2851及5，Co两种离子束在6O0oC下，在51(111)及51(100)衬底上生长CosiZ外延薄膜，并进而实现Si一CosiZ一Si这样的多层异质结构的外延生长。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条